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STS9NF3LL 发布时间 时间:2025/7/22 13:58:21 查看 阅读:6

STS9NF3LL是一款由STMicroelectronics(意法半导体)制造的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件设计用于高效率电源管理应用,具有低导通电阻(RDS(on))、高电流容量和快速开关特性。STS9NF3LL广泛用于DC-DC转换器、负载开关、电池充电管理、电机控制以及其他需要高可靠性和高性能的电子系统中。该MOSFET采用先进的制造工艺,确保在高温环境下仍能保持稳定运行。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):12A(在Tamb=25°C时)
  最大漏源电压(VDS):30V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):最大为33mΩ(在VGS=10V时)
  漏极-源极击穿电压(BVDSS):30V
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  封装形式:TO-220、D2PAK、PowerSSO等
  功率耗散(PD):36W(在Tamb=25°C时)

特性

STS9NF3LL具有多项关键特性,使其在电源管理应用中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。此外,该器件具有高电流容量,支持高达12A的连续漏极电流,适用于高功率密度设计。STS9NF3LL的栅极电荷(Qg)较低,有助于实现快速开关操作,从而减少开关损耗。
  该MOSFET采用先进的沟槽栅极技术,提高了器件的稳定性和耐用性。其宽泛的工作温度范围(-55°C至+175°C)确保在极端环境条件下仍能可靠运行。此外,STS9NF3LL具备良好的热稳定性,能够在高负载条件下保持良好的热管理性能。
  STS9NF3LL还具备优异的抗雪崩能力,能够承受瞬态过电压冲击而不损坏,增强了系统的鲁棒性和可靠性。其封装形式多样,包括TO-220、D2PAK和PowerSSO等,便于在不同应用中灵活使用,并支持高功率散热需求。

应用

STS9NF3LL常用于多种电源管理与功率控制应用中,例如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统(BMS)、电机驱动器、LED照明驱动电路、工业自动化控制系统、消费类电子产品(如笔记本电脑、平板电脑、电源适配器)以及汽车电子系统(如车载充电器、电动助力转向系统、车载信息娱乐系统等)。
  在DC-DC转换器中,STS9NF3LL的低RDS(on)和快速开关特性有助于提高转换效率并减少热量产生。在负载开关应用中,它可以实现对电源路径的高效控制,防止过载和短路情况下的系统损坏。在电机驱动器中,该MOSFET可提供高电流输出能力,确保电机运行平稳高效。在电池管理系统中,STS9NF3LL可用于控制电池充放电路径,提升整体系统安全性和稳定性。

替代型号

IRF9540N, FDPF9N30, FQP12N30C, STP9NK60ZFP, STP9NK60Z

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STS9NF3LL参数

  • 其它有关文件STS9NF3LL View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C19 毫欧 @ 4.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs17nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds800pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-8196-6