时间：2025/4/28 19:45:21
阅读：2
SGL160N60UFDTU 是一款基于硅技术的 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），采用 UF 封装。该器件主要应用于高频、高效率开关电源、电机驱动和负载切换等领域。其卓越的电气性能使其在低导通损耗和快速开关应用中表现出色。
SGL160N60UFDTU 的设计优化了 Rds(on) 和栅极电荷之间的平衡，从而实现了更低的传导损耗和开关损耗。此外，该器件具备较低的输入电容和输出电容，有助于提高整体系统的效率和可靠性。
型号：SGL160N60UFDTU
类型：N沟道 MOSFET
Vds（漏源电压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：160mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
Id（连续漏极电流）：34A
Ptot（总功耗）：29W
Qg（栅极电荷）：23nC
Ciss（输入电容）：1120pF
Coss（输出电容）：205pF
EAS（雪崩能量）：1.7mJ
封装：UF
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
SGL160N60UFDTU 具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低功率损耗。
2. 快速开关速度，得益于较小的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss）。
3. 高电流处理能力，支持高达 34A 的连续漏极电流。
4. 优异的热性能，能够承受较高的结温（最高达 150°C）。
5. 良好的雪崩能力，能够在过压情况下提供一定的保护功能。
6. 紧凑型 UF 封装，适合空间受限的应用场景。
这些特性使得 SGL160N60UFDTU 成为高效电源管理的理想选择。
SGL160N60UFDTU 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：适用于 DC-DC 转换器、反激式转换器等。
2. 电机驱动：用于控制无刷直流电机（BLDC）、步进电机等。
3. 负载切换：实现电子电路中的动态负载管理。
4. 电池管理系统（BMS）：用于保护电池免受过流或短路的影响。
5. 工业自动化设备：如伺服驱动器、变频器等。
由于其出色的电气特性和紧凑封装，该器件特别适合需要高效率和小型化的应用场景。
SGL180N60UFDTU, SGL150N60UFDTU
