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STS7NF60L 发布时间 时间:2025/6/16 10:34:15 查看 阅读:4

STS7NF60L 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种高效能的电源管理应用,例如开关电源、电机驱动器以及DC-DC转换器等。其封装形式为TO-220,适合散热要求较高的场景。

参数

最大漏源电压Vds:600V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  连续漏极电流Id:7A
  导通电阻Rds(on):1.8Ω(在Vgs=10V时)
  总功耗Ptot:160W
  结温范围Tj:-55℃ 至 +150℃

特性

STS7NF60L 具有出色的电气性能和可靠性。其主要特点包括:
  1. 高耐压能力:能够承受高达600V的漏源电压,适用于高压环境。
  2. 低导通电阻:在典型工作条件下,导通电阻仅为1.8Ω,可显著降低传导损耗。
  3. 快速开关性能:具备较小的输入电容和输出电容,有助于实现高频开关操作。
  4. 热稳定性强:采用大功率封装设计,确保器件在高温环境下仍能保持稳定运行。
  5. 符合RoHS标准:环保且满足国际法规要求。

应用

STS7NF60L 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS):如适配器、充电器及工业电源等。
  2. DC-DC转换器:用于汽车电子、通信设备中的电压调节。
  3. 电机驱动:控制小型直流电机或步进电机的工作状态。
  4. 电磁阀驱动:为工业自动化系统提供可靠的电磁阀控制方案。
  5. 电池管理系统:监测与保护锂电池组的安全运行。

替代型号

IRF7414, FQP7N60C

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  • STS7NF60L
  • N-CHANNEL 60V - 0.017 ohm - 7.5A SO-...
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STS7NF60L参数

  • 其它有关文件STS7NF60L View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C19.5 毫欧 @ 3.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs34nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1700pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-4757-6