STS7NF60L 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种高效能的电源管理应用,例如开关电源、电机驱动器以及DC-DC转换器等。其封装形式为TO-220,适合散热要求较高的场景。
最大漏源电压Vds:600V
最大栅源电压Vgs:±20V
连续漏极电流Id:7A
导通电阻Rds(on):1.8Ω(在Vgs=10V时)
总功耗Ptot:160W
结温范围Tj:-55℃ 至 +150℃
STS7NF60L 具有出色的电气性能和可靠性。其主要特点包括:
1. 高耐压能力:能够承受高达600V的漏源电压,适用于高压环境。
2. 低导通电阻:在典型工作条件下,导通电阻仅为1.8Ω,可显著降低传导损耗。
3. 快速开关性能:具备较小的输入电容和输出电容,有助于实现高频开关操作。
4. 热稳定性强:采用大功率封装设计,确保器件在高温环境下仍能保持稳定运行。
5. 符合RoHS标准:环保且满足国际法规要求。
STS7NF60L 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS):如适配器、充电器及工业电源等。
2. DC-DC转换器:用于汽车电子、通信设备中的电压调节。
3. 电机驱动:控制小型直流电机或步进电机的工作状态。
4. 电磁阀驱动:为工业自动化系统提供可靠的电磁阀控制方案。
5. 电池管理系统:监测与保护锂电池组的安全运行。
IRF7414, FQP7N60C