时间：2025/7/31 17:51:55
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STS65R190SS2是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的高性能功率MOSFET晶体管，广泛应用于高电压、高电流的开关和功率转换电路中。这款MOSFET属于超级结（Super Junction）技术，能够提供更高的效率和更低的导通电阻，适用于电源供应器、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：65A
漏源极电压（VDS）：190V
导通电阻（RDS(on)）：约50mΩ（典型值，具体取决于测试条件）
最大工作温度：150°C
封装类型：TO-247
栅极电荷（Qg）：约150nC
漏源击穿电压（BVDSS）：190V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C至+150°C
STS65R190SS2采用先进的超级结技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其高耐压能力（190V）使其适用于多种中高功率应用。该MOSFET具备优异的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。此外，该器件的封装设计优化了散热性能，确保在高电流条件下的可靠运行。该器件还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，减少了开关损耗，提高了整体系统性能。
在可靠性方面，STS65R190SS2通过了严格的工业标准测试，具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力。这使其在严苛的工作条件下（如电机驱动、电源转换等）也能保持稳定运行。此外，该MOSFET的栅极驱动设计兼容常见的驱动电路，简化了设计流程，降低了系统复杂性。
由于其高性能特性，STS65R190SS2广泛应用于服务器电源、电信电源系统、工业电机控制、电动车充电器、光伏逆变器等对效率和可靠性要求较高的场景。
STS65R190SS2主要应用于高功率密度电源系统，如服务器电源、通信电源、UPS不间断电源、DC-DC转换器、电机驱动器、电动车充电设备以及光伏逆变器等。其高效率和高耐压特性也使其适用于高频开关电源和工业自动化控制设备。
SPW65R055C3, IPW65R055CFD7S, STF65R055DM2
