MA4P1084 时间：2025/12/28 15:04:58 阅读：11

MA4P1084是一款由MACOM公司生产的高性能砷化镓（GaAs）场效应晶体管（FET），专为高频和微波应用设计。该器件采用先进的GaAs技术，具有低噪声系数、高线性度和优异的射频性能，适用于通信系统、测试设备、雷达和无线基础设施等领域的射频前端设计。MA4P1084是一款增强型PHEMT（伪高电子迁移率晶体管），可在高频范围内提供稳定的放大性能。

参数

频率范围：10 MHz - 6 GHz
　　噪声系数：0.45 dB（典型值，@ 2 GHz）
　　增益：18 dB（典型值，@ 2 GHz）
　　输出IP3：32 dBm（典型值，@ 2 GHz）
　　工作电压：3.0 V - 6.0 V
　　静态电流：40 mA（典型值）
　　封装形式：SOT-89

特性

MA4P1084具有多项优异的电气特性，使其在高频应用中表现出色。首先，其低噪声系数确保了在接收端能够实现高灵敏度，特别适用于低噪声放大器（LNA）设计。其次，器件的高线性度和优异的三阶交调截距（IP3）使其能够在高动态信号环境下保持良好的信号完整性，减少失真。此外，MA4P1084具备宽广的工作频率范围（从10 MHz到6 GHz），适用于多种无线通信标准，包括蜂窝通信、Wi-Fi、WiMAX和DVB等。其增强型PHEMT结构使得该器件在较低的工作电压下仍能保持稳定性能，适合用于电池供电设备。最后，MA4P1084采用了SOT-89小型封装，便于集成并具有良好的热稳定性。