STS4DNF60L 时间：2025/7/19 3:07:26 阅读：1

STS4DNF60L 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道功率MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高效率的应用场景。这款MOSFET采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻（RDS(on)）和高耐压能力，适合用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、电池管理系统以及工业自动化设备等领域。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600 V
　　最大漏极电流（ID）：4 A
　　导通电阻（RDS(on)）：1.65 Ω @ VGS = 10 V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.1 V 至 3.5 V
　　功耗（Ptot）：70 W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220FP

特性

STS4DNF60L MOSFET 具备多项优异的电气特性。其最大漏源电压（VDS）为600 V，适用于高电压环境下的应用，确保在高压电路中稳定运行。漏极电流（ID）为4 A，能够承受较大的负载电流，适用于中高功率系统。导通电阻（RDS(on)）仅为1.65 Ω，在VGS为10 V时表现良好，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，其栅极阈值电压（VGS(th)）在2.1 V至3.5 V之间，确保了MOSFET在不同驱动条件下都能可靠导通。
　　该器件的功耗（Ptot）为70 W，表明其在较高温度环境下依然能够保持良好的热性能。工作温度范围从-55°C到150°C，适应了工业级的严苛环境要求，适合在多种恶劣条件下使用。STS4DNF60L采用TO-220FP封装形式，具备优良的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。这些特性使得STS4DNF60L在电源管理和功率转换应用中表现优异，能够有效提升整体系统性能和可靠性。

应用

STS4DNF60L MOSFET 主要应用于电源管理系统、DC-DC转换器、电机控制、逆变器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备、LED照明驱动器以及家电控制电路等。由于其高耐压、中等电流能力和低导通电阻的特性，它在需要高效率和高可靠性的场合中表现尤为出色。例如，在电源管理中，它可以用于实现高效的能量转换；在电机控制应用中，能够提供稳定的开关性能；在电池管理系统中，能够有效控制充放电过程，保障电池安全运行。