STQ1NC45R 时间：2025/7/22 22:38:17 阅读：3

STQ1NC45R是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高电压和高电流应用而设计，适用于需要高效能和可靠性的功率电子设备。

参数

类型：N沟道
　　最大漏极电流：1 A
　　最大漏源电压：450 V
　　导通电阻：典型值为4.5Ω
　　栅极电压范围：±20V
　　封装类型：TO-92
　　工作温度范围：-55°C至150°C

特性

STQ1NC45R具备多项显著特性，使其适用于各种高电压和高效率功率转换应用。
　　首先，其高耐压能力使其能够承受高达450V的漏源电压，确保在高压应用中的稳定运行。这种耐压特性使得STQ1NC45R非常适合用于AC/DC电源转换器、开关电源（SMPS）以及电机控制电路。
　　其次，该MOSFET的导通电阻较低，典型值为4.5Ω。低导通电阻有助于降低导通损耗，从而提高整体系统效率，并减少热量产生，提高设备的可靠性。
　　此外，STQ1NC45R采用TO-92封装，具有良好的热管理和机械稳定性，适用于紧凑型电路设计。其宽工作温度范围（-55°C至150°C）也使其能够在严苛的环境条件下稳定运行，例如工业自动化和家用电器中的电源管理电路。
　　最后，该器件的栅极电压范围为±20V，提供了较高的设计灵活性，同时具备良好的栅极氧化层保护，防止过压损坏。

应用

STQ1NC45R广泛应用于多种高电压和中低功率的电力电子系统中。其主要应用包括开关电源（SMPS）、LED照明驱动器、电池充电器、电机控制模块、家电电源管理电路以及工业自动化设备中的功率开关。
　　在开关电源中，STQ1NC45R可作为主开关器件，负责将输入的高压直流或交流电压转换为稳定的低压输出，适用于适配器、充电器和电源模块。
　　在LED照明领域，该MOSFET可用于LED驱动器的调光和恒流控制电路，提供高效能和稳定的光输出。
　　此外，STQ1NC45R也适用于电机控制和继电器替代应用，如风扇控制、电动工具和家用电器中的功率调节模块。其高耐压特性和低导通电阻使其在这些应用中能够实现高效能和低功耗运行。