型号：ZUS1R52405
　　封装类型：SOD-123FL
　　齐纳电压（Vz）：24 V
　　齐纳测试电流（Izt）：1 mA
　　最大齐纳阻抗（Zzt）：600 Ω
　　最大反向漏电流（Ir）：1 μA
　　功率耗散（Ptot）：200 mW
　　工作结温范围：-55 °C 至 +150 °C
　　温度系数：+6 mV/°C（典型值）
　　标称齐纳电压公差：±5%

ZUS1R52405齐纳二极管的核心特性之一是其在低电流条件下仍能提供稳定可靠的电压参考能力。该器件的齐纳击穿电压标称为24V，在1mA的测试电流下即可进入正常工作区，使其非常适合用于低功耗或电池供电系统中的电压监测与稳压应用。其最大齐纳阻抗为600Ω，这一数值在同类产品中处于较优水平，意味着在负载变化时输出电压波动较小，有助于提高系统的整体稳定性。此外，该器件在未达到击穿电压时表现出极低的反向漏电流——最大仅为1μA，有效减少了待机状态下的能量损耗，提升了能效表现。
　　该器件采用SOD-123FL封装，尺寸紧凑（约2.7 mm × 1.8 mm × 1.1 mm），非常适合高密度PCB布局，尤其适用于便携式设备、通信模块和工业传感器等对空间敏感的应用场景。尽管体积小巧，但其200mW的最大功率耗散能力足以应对大多数常规电压钳位需求。热性能方面，器件具有良好的热传导路径设计，能够在-55°C至+150°C的宽结温范围内可靠运行，满足严苛工业环境下的使用要求。
　　温度稳定性是ZUS1R52405另一个突出优势。其典型的电压温度系数为+6mV/°C，虽然为正值，但在实际应用中可通过外围电路补偿实现更高精度的电压基准。±5%的初始电压容差也保证了批量生产中的一致性，降低了系统调校成本。此外，该器件具备较强的抗静电放电（ESD）能力，可承受一定程度的瞬态干扰，增强了在复杂电磁环境中的鲁棒性。所有这些特性共同使ZUS1R52405成为高性能模拟电路、ADC参考源、浪涌保护单元以及反馈控制环路中理想的电压基准元件。

ZUS1R52405广泛应用于各类需要精确电压参考或过压保护的电子系统中。在电源管理领域，它常被用作反馈回路中的基准电压源，配合运算放大器或比较器实现输出电压的精确调节，例如在DC-DC转换器、LDO稳压器中进行电压采样和误差检测。由于其低漏电流和稳定的击穿特性，该器件也适用于电池供电设备中的电量检测电路，帮助系统准确判断剩余电量并触发低电压告警。
　　在信号调理电路中，ZUS1R52405可用于构建简单的电压箝位保护网络，防止敏感输入端口因瞬态高压而损坏。例如，在工业PLC模块的模拟输入通道或通信接口（如RS-485、CAN总线）前端，该齐纳二极管可作为初级ESD和浪涌防护元件，与其他TVS二极管或限流电阻协同工作，提升系统抗干扰能力。
　　此外，该器件还可用于构建低成本的电压参考源，替代部分精密基准IC，在对成本敏感但精度要求适中的应用中具有显著优势。例如，在消费类电子产品中的ADC参考电压生成、微控制器的复位电路电压检测、LED驱动电路的阈值设定等方面均有良好表现。得益于其小封装和高可靠性，ZUS1R52405也被广泛用于汽车电子、医疗设备和物联网终端等对长期稳定性要求较高的领域。