时间:2025/12/26 8:53:11
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STPR820D是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高效率、高压硅功率肖特基整流二极管,专为满足高可靠性电源应用需求而设计。该器件采用先进的平面技术制造,具备优良的热稳定性和长期可靠性,适用于多种工业、消费类及通信领域的电源系统中。STPR820D具有低正向压降和高反向击穿电压的特点,能够在高温环境下稳定运行,是开关模式电源(SMPS)、逆变器、DC-DC转换器以及续流与箝位电路中的理想选择。其封装形式通常为TO-220或类似的大功率封装,具备良好的散热性能,能够有效降低热阻,提升整体系统效率。此外,该器件符合RoHS环保标准,并通过了多项国际安全与质量认证,确保在严苛工作条件下仍能保持优异性能。由于其出色的电气特性与坚固的封装结构,STPR820D广泛应用于服务器电源、电信设备、工业控制系统、照明驱动以及新能源系统如太阳能逆变器等场景。
类型:肖特基整流二极管
最大重复反向电压(VRRM):800 V
平均整流电流(IO):8 A
峰值正向浪涌电流(IFSM):150 A(@8.3ms单半波)
正向电压降(VF):典型值1.75 V(@8A, TJ=125°C)
最大反向漏电流(IR):≤ 10 μA(@TJ=25°C),≤ 500 μA(@TJ=150°C)
工作结温范围(TJ):-55 °C 至 +175 °C
热阻结到壳(RthJC):约2.5 °C/W
封装类型:TO-220AB 或 TO-220FP
引脚数:2 引脚(K 和 A)
安装方式:通孔安装(Through-Hole)
极性:单个肖特基二极管(阳极和阴极)
隔离耐压:符合安全隔离标准(依赖于PCB布局和绝缘材料)
焊接温度(引脚):最高300°C(持续时间≤10秒)
STPR820D的核心特性之一是其高达800V的重复反向电压能力,这在传统的肖特基二极管中较为罕见,因为大多数肖特基器件受限于较低的耐压水平(通常低于200V)。该器件突破了这一限制,采用了特殊的金属-半导体结结构优化与场环设计,显著提升了击穿电压的同时,仍保持了较低的正向导通压降。这种高耐压与低VF的结合使其在高压直流输出应用中表现出色,例如在PFC(功率因数校正)级之后的主输出整流环节。相较于传统快恢复或超快恢复二极管,STPR820D没有反向恢复电荷(Qrr)问题,因此极大地减少了开关损耗和电磁干扰(EMI),提高了系统整体效率。
另一个关键优势在于其卓越的热性能。得益于TO-220封装的大面积铜片连接和内部低热阻设计,STPR820D可以将芯片产生的热量高效传导至散热器或PCB铺铜区域,从而避免局部过热导致的失效风险。即使在满载连续工作状态下,只要合理设计散热路径,该器件也能在125°C以上的结温下长期可靠运行。此外,它具备很强的抗浪涌能力,可承受高达150A的短时峰值电流,适用于存在输入突变或负载瞬态的应用环境,如电机驱动电源或雷击浪涌测试场景。
STPR820D还具备出色的长期稳定性与抗老化能力。经过严格的高温反偏(HTRB)和高温存储寿命(HTSL)测试验证,确保在恶劣工况下参数漂移极小。其低漏电流特性在高温下依然可控,在150°C时最大仅为500μA,远低于同类产品,有助于减少待机功耗并提高轻载效率。综合来看,STPR820D通过技术创新实现了高压肖特基二极管的实用化,填补了传统硅基快恢复二极管与新型宽禁带器件之间的性能空白,成为中高端电源设计中的优选方案。
STPR820D主要应用于需要高电压、大电流整流且对效率和可靠性要求较高的电源系统中。典型应用场景包括开关模式电源(SMPS)的次级侧整流电路,特别是在离线式AC-DC适配器、工业电源模块和服务器电源中,用于实现高效的直流输出整流。由于其无反向恢复电荷的特性,该器件特别适合高频工作的拓扑结构,如正激变换器、反激变换器以及LLC谐振转换器,在这些电路中能显著降低开关节点的电压尖峰和EMI噪声,提升系统稳定性。
在通信基础设施领域,STPR820D被广泛用于基站电源、光网络单元(ONU)和路由器电源中,作为主整流元件,保障长时间不间断运行下的电源效率与安全性。同时,它也常见于工业自动化设备的供电单元,例如PLC控制器、变频器和伺服驱动器,其中电源需承受较宽的输入电压波动和复杂电磁环境。
此外,该器件还可用于新能源系统,如太阳能微型逆变器和储能系统的DC-DC升压/降压环节,作为能量回馈路径的防倒灌二极管或续流二极管使用。在照明应用方面,尤其是大功率LED驱动电源中,STPR820D可用于次级整流以提高光效一致性与灯具寿命。由于其具备良好的抗浪涌能力和宽泛的工作温度范围,该器件同样适用于户外或高温工业环境下的电源设计,展现出极强的适应性与工程实用性。
STPR820D