时间：2025/9/14 3:01:52
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PMPB08R5XNX是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽式（Trench）技术制造，适用于高效率的电源管理和功率转换应用。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，能够在高频率下运行，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池供电系统等场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大漏极电流（ID）：110A（在VGS=10V）
导通电阻（RDS(on)）：8.5mΩ（典型值，VGS=10V）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V至3.5V
最大功耗（PD）：130W
封装类型：PowerFLAT 5x6
工作温度范围：-55°C至175°C
PMPB08R5XNX具有出色的导通和开关性能。其低导通电阻可显著降低功率损耗，提高系统效率。该器件采用先进的沟槽结构，优化了电场分布，提高了雪崩能量耐受能力，增强了器件的可靠性。PowerFLAT 5x6封装具有较小的尺寸和良好的热性能，有助于在高功率密度应用中实现紧凑的设计。
此外，该MOSFET具备高耐压能力和出色的热稳定性，可在高温环境下稳定工作。其快速开关特性减少了开关损耗，提高了整体系统的响应速度和效率。PMPB08R5XNX还具备良好的抗干扰能力，能够适应复杂的电磁环境，确保系统的稳定运行。
该器件符合RoHS环保标准，适用于工业级和汽车级应用。由于其优异的性能表现和可靠性，PMPB08R5XNX被广泛应用于服务器电源、电信设备、电动工具、电动车和工业自动化系统等领域。
PMPB08R5XNX主要应用于需要高效功率控制的电子系统中。常见应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电源管理单元（PMU）、工业自动化设备以及电动汽车的电力控制系统。其高效率和高可靠性也使其成为服务器和通信设备电源模块中的理想选择。
PMPB08R5XNX的替代型号包括STL110N3LLF、PMPB9R5XNXP、IRF110N3LLCS、FDMS86181、SiR110DP
