STP9NK80ZFP 时间：2025/7/23 6:55:03 阅读：5

STP9NK80ZFP 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的StripFET? F7技术制造，具有出色的导通电阻和开关性能，适用于高效率电源转换应用，如DC-DC转换器、PFC（功率因数校正）电路、SMPS（开关电源）和逆变器等。STP9NK80ZFP封装为TO-220FP，具备良好的热性能和耐用性，适合在高功率密度和高温环境下工作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：800V
　　最大漏极电流（Id）@25°C：9A
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：0.85Ω
　　栅极电荷（Qg）@10V：42nC
　　最大功耗（Ptot）：60W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220FP

特性

STP9NK80ZFP 采用意法半导体的先进StripFET? F7技术，提供超低导通电阻，从而显著降低导通损耗。其800V的漏源电压能力使其适用于高电压应用，如AC-DC电源和PFC电路。该器件的栅极电荷较低，有助于提高开关效率，减少开关损耗，非常适合高频开关电源使用。
　　此外，STP9NK80ZFP采用TO-220FP封装，具有良好的散热性能和机械强度，能够承受较高的热应力。该封装还具备优异的爬电距离，适用于高电压隔离要求的应用场景。其工作温度范围广泛，可在-55°C至150°C之间稳定运行，适应各种恶劣工作环境。
　　该MOSFET还具备出色的雪崩能量耐受能力，提高了器件在瞬态过压条件下的可靠性。其栅极氧化层设计增强了抗静电能力，降低了在运输和装配过程中可能受到的损害风险。这些特性使得STP9NK80ZFP在工业电源、照明系统、家电控制以及新能源设备中具有广泛的应用前景。

应用

STP9NK80ZFP 主要用于高电压、高效率的功率转换系统。典型应用包括开关电源（SMPS）、升压和降压转换器、功率因数校正（PFC）电路、DC-AC逆变器、UPS不间断电源、LED照明驱动器、电机控制电路以及家用电器中的功率控制模块。
　　在PFC电路中，该器件的低导通电阻和快速开关特性有助于提高系统的整体效率，同时降低发热量。在SMPS中，STP9NK80ZFP的高耐压能力和低开关损耗使其成为构建高效能电源模块的理想选择。此外，由于其良好的热性能，该MOSFET也常用于紧凑型电源适配器和充电器设计中，以实现更高的功率密度和更长的使用寿命。