RFVC1843SQ 时间：2025/8/15 13:34:23 阅读：8

RFVC1843SQ 是一款由 Renesas（瑞萨电子）推出的 GaAs（砷化镓）场效应晶体管（FET），专为高频应用设计。该器件适用于无线通信、雷达、测试设备和其他高频信号处理系统。

参数

频率范围：DC至18 GHz
　　工作电压：10 V
　　最大漏极电流：120 mA
　　输出功率：典型值为16 dBm（在18 GHz时）
　　增益：典型值为10 dB（在18 GHz时）
　　噪声系数：典型值为2.5 dB（在18 GHz时）
　　封装类型：8引脚表面贴装（SQ）

特性

RFVC1843SQ 是一款高线性度的 GaAs FET，具有优异的增益和低噪声系数，使其成为高性能射频和微波电路的理想选择。该器件采用先进的 GaAs 技术制造，具有良好的温度稳定性和可靠性。其高线性度特性使其适用于高动态范围的接收机和发射机电路。此外，RFVC1843SQ 的封装设计便于表面贴装，提高了制造效率并降低了成本。
　　在性能方面，RFVC1843SQ 在18 GHz的高频下仍能保持稳定的增益和噪声系数，这使其成为毫米波应用的理想选择。该器件还具有较低的功耗，适用于电池供电的便携式设备。其高输入阻抗和低输出阻抗有助于简化电路设计，并减少外部匹配网络的复杂性。
　　另外，RFVC1843SQ 具有良好的抗干扰能力和热稳定性，能够在严苛的环境条件下可靠运行。其封装材料符合 RoHS 标准，支持环保制造流程。在实际应用中，该器件可广泛用于宽带放大器、低噪声放大器（LNA）和混频器等电路中。