时间：2025/7/23 12:17:33
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STP9435是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的高集成度、高效率的MOSFET功率晶体管，主要用于电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的Trench栅技术，提供低导通电阻和高电流承载能力，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和电机控制等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
漏极电流（Id）：17A（在Vgs=10V时）
导通电阻（Rds(on)）：约6.5mΩ（最大值，在Vgs=10V时）
栅极电压（Vgs）：±20V
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：PowerSO-10
STP9435具备多项优异特性，确保其在高功率应用中的可靠性和性能。首先，其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的额定漏极电流为17A，使其能够处理高负载电流，适用于高功率密度设计。此外，STP9435采用先进的Trench栅MOSFET技术，提供优异的开关性能，减少开关损耗，提高系统响应速度。
该MOSFET具有宽泛的栅极电压范围（±20V），支持灵活的驱动设计，同时具备良好的热稳定性。其工作温度范围为-55°C至+175°C，适用于严苛环境下的工业和汽车应用。STP9435还内置了过热保护功能，提升了系统的可靠性和耐用性。
该器件采用PowerSO-10封装，具有良好的散热性能，便于在紧凑型设计中使用。此外，该封装形式支持表面贴装技术（SMT），提高了PCB组装的效率和可靠性。
STP9435广泛应用于多个领域，包括但不限于：电源管理模块、DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电动工具、电动车控制器、工业自动化设备、电池管理系统以及电机驱动器等。由于其高效率和高可靠性，该器件特别适合用于对能效和热管理有严格要求的应用场景。
IPD9435C, FDS9435A, SI9435BDY-T1-GE3
