时间：2025/6/13 8:51:36
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STP90N55F4是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用了先进的MDmesh技术，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、电池保护以及各种工业控制应用中。其封装形式为TO-220，能够有效提升散热性能。
STP90N55F4在设计上注重效率和可靠性，适用于需要高功率密度和低功耗的应用场合。
最大漏源电压：550V
连续漏极电流：9A
导通电阻（典型值）：1.6Ω
栅极电荷：75nC
输入电容：1230pF
总功耗：125W
工作结温范围：-55℃至+150℃
STP90N55F4的主要特点是其采用了MDmesh技术，这使其具备以下优势：
1. 较低的导通电阻，在高电流应用中可以减少功率损耗。
2. 高击穿电压（550V），适用于高压环境下的电路设计。
3. 快速开关特性，有助于降低开关损耗并提高系统效率。
4. 优秀的热稳定性，能够在高温条件下长时间运行。
5. TO-220封装提供良好的散热性能，便于安装和使用。
此外，STP90N55F4还具有较低的栅极电荷和输入电容，进一步优化了开关性能。
STP90N55F4广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：如适配器、充电器等。
2. DC-DC转换器：用于汽车电子、工业设备等领域。
3. 电机驱动：适用于小型直流电机或步进电机的控制。
4. 电池保护：防止过充或过放，确保电池安全。
5. 各种工业控制应用：如逆变器、UPS电源等。
由于其高耐压和大电流特性，STP90N55F4特别适合高压、大功率的应用场景。
STP90N60F4
STP90N55
IRF840
