IXFP4N100PM 时间：2025/8/6 11:52:34 阅读：17

IXFP4N100PM 是一款由 IXYS 公司生产的高电压、高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换系统，适用于如工业电源、电机驱动、太阳能逆变器、UPS（不间断电源）等应用。该 MOSFET 采用 TO-263（D2Pak）封装，具备良好的热性能和电流承载能力，适合在高功率密度设计中使用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电压(Vdss)：1000V
　　最大栅极电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：4A（Tc=25℃）
　　最大功耗(Pd)：125W
　　导通电阻(Rds(on))：2.5Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-263（D2Pak）

特性

IXFP4N100PM 具备一系列高性能特性，使其适用于高电压和高功率的应用场景。首先，其最大漏极电压为 1000V，能够满足高压电源转换系统的需求，如工业电源、太阳能逆变器等。该 MOSFET 的导通电阻为 2.5Ω，虽然相对较高，但由于其封装形式具有良好的散热性能，因此在中等电流条件下仍能保持较低的导通损耗。
　　其次，该器件的最大连续漏极电流为 4A（在 Tc=25℃ 下），适合用于中等功率的开关电源、电机驱动等应用。同时，其最大功耗为 125W，表明其具备较强的热管理能力，可以在较高功率下稳定运行。
　　此外，IXFP4N100PM 采用 TO-263（D2Pak）封装，这种封装形式不仅具有良好的热传导性能，还能提供优异的机械强度和可靠性，适合在工业环境中使用。栅极电压范围为 ±30V，提供了较宽的驱动电压范围，增强了与各种驱动电路的兼容性。
　　最后，该 MOSFET 在高温环境下仍能保持稳定的工作性能，其工作温度范围为 -55℃ 至 +150℃，适合在各种严苛的环境条件下使用。

应用

IXFP4N100PM 主要应用于高电压和中等功率的电源转换系统中。例如，在工业电源和开关电源（SMPS）中，它可作为主开关器件，用于高效能的直流-直流转换或交流-直流转换。在太阳能逆变器中，该 MOSFET 可用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电，供家庭或电网使用。此外，它也可用于不间断电源（UPS）系统中，确保在市电中断时能够迅速切换到备用电源，保持设备的持续运行。
　　在电机驱动应用中，IXFP4N100PM 可用于控制电机的启停和速度调节，特别是在高压直流电机或步进电机控制系统中。由于其具备较高的电压和电流承受能力，因此在高功率 LED 照明系统、电池充电器以及电源管理模块中也具有广泛的应用潜力。