时间：2025/5/26 17:24:09
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STP8N120K5是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247封装，具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于多种电力电子应用，包括开关电源、电机驱动和逆变器等。这款MOSFET的设计使其能够在高压环境下保持高效性能。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：8A
导通电阻：1.6Ω
栅极电荷：39nC
总电容：200pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
STP8N120K5是一款高性能的功率MOSFET，具有以下特点：
1. 高击穿电压（1200V），适合高压应用环境。
2. 较低的导通电阻（1.6Ω），减少传导损耗并提高效率。
3. 快速开关速度，有助于降低开关损耗。
4. 优化的热性能设计，确保在高温环境下稳定运行。
5. 具备出色的可靠性和耐用性，适用于工业级和汽车级应用。
6. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子系统中。
STP8N120K5广泛应用于需要高效功率转换和控制的领域，包括但不限于以下应用：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. 工业电机驱动和控制电路。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
4. 电动车和混合动力车中的电池管理系统（BMS）和逆变器。
5. 高压DC-DC转换器和其他高压功率处理设备。
由于其高耐压能力和低导通电阻，该器件特别适合于要求高效率和可靠性的高压应用。
STP12N120K5
STP16N120K5
IRFP260N
FDP18N120A
