LQW15AN75NG00D 是一款由罗姆(ROHM)生产的 N 沣道晶体管(N-Channel MOSFET),具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于各种高效能电源管理应用。该产品采用了先进的半导体制造工艺,能够满足现代电子设备对高性能、小尺寸和低功耗的需求。
该型号的 MOSFET 主要应用于消费类电子产品、工业设备以及通信设备中,提供高效的开关性能和稳定的运行表现。
最大漏源电压:75V
连续漏极电流:32A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:64nC
总功率耗散:218W
工作温度范围:-55℃ to 175℃
封装形式:TO-263-3
LQW15AN75NG00D 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),仅为 1.5mΩ,这使得其在大电流应用中具有极高的效率。
2. 高耐压能力,额定漏源电压为 75V,适用于多种电压等级的应用场景。
3. 快速开关性能,能够支持高频操作,减少开关损耗。
4. 强大的散热性能,允许高达 218W 的功率耗散。
5. 广泛的工作温度范围(-55℃ 至 +175℃),确保在恶劣环境下仍能稳定运行。
6. 小型化封装设计(TO-263-3),节省 PCB 空间,便于系统集成。
7. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
LQW15AN75NG00D 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC/DC 转换器的核心开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电池管理系统(BMS)中的保护电路。
6. LED 驱动器和其他需要高效功率管理的场合。
LQW15AN80NG00D, IRFZ44N, FDP15N65S