STP80NF75 时间：2025/7/23 11:07:21 阅读：12

STP80NF75 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高功率和高效率的电源转换应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）特性，能够在高电流下工作，适用于开关电源（SMPS）、电机控制、电池充电器和逆变器等应用场景。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：75V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：80A
　　导通电阻（Rds(on)）：约3.5mΩ（典型值，具体取决于Vgs）
　　功耗（Ptot）：200W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-220、TO-247等

特性

STP80NF75 以其优异的导通性能和高功率处理能力著称。其低Rds(on)特性使得该器件在高电流应用中具有较低的导通损耗，从而提高了系统的整体效率。此外，该MOSFET具备高雪崩能量承受能力和良好的热稳定性，适用于恶劣的工作环境。该器件还具有快速开关特性，适合高频开关应用，从而减小了外部滤波元件的尺寸和成本。
　　在结构设计上，STP80NF75采用了先进的平面工艺和沟槽技术，提供了较高的电流密度和较低的开关损耗。其封装形式（如TO-220和TO-247）具有良好的散热性能，确保在高负载条件下的稳定性。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持逻辑电平驱动，适合与多种控制IC配合使用。

应用

STP80NF75 广泛应用于多种高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统、逆变器以及工业自动化设备。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源管理场合。此外，STP80NF75还可用于汽车电子系统，如车载充电器、电动车辆的电源管理模块等。