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FCQ20A04 发布时间 时间:2025/8/7 17:15:28 查看 阅读:27

FCQ20A04是一款由富士电机(Fuji Electric)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率和高频应用,如电源转换、电机控制、DC-DC转换器、逆变器以及各种工业和汽车电子系统。该器件采用先进的沟槽栅(Trench Gate)技术,具备低导通电阻(Rds(on))、高电流容量和优良的热性能。FCQ20A04通常封装在高性能的TO-247或类似的功率封装中,以确保良好的散热性能和机械稳定性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):40V
  栅源电压(Vgs):±20V
  漏极电流(Id):200A(Tc=25℃)
  导通电阻(Rds(on)):最大4mΩ @ Vgs=10V
  功率耗散(Pd):400W
  工作温度范围:-55℃ ~ +175℃
  封装形式:TO-247

特性

FCQ20A04采用了富士电机专有的沟槽栅技术,显著降低了导通电阻,从而减少了导通损耗,提高了效率。
  该器件具备极高的电流承载能力,额定漏极电流可达200A,适用于高功率密度设计。
  其低Rds(on)特性使得在大电流工作时的温升更小,从而提高了系统的可靠性和寿命。
  此外,FCQ20A04具有优异的热稳定性,能够在高温度环境下稳定工作,适合用于高温工况下的工业和汽车应用。
  该MOSFET还具备快速开关特性,适用于高频开关电源和DC-DC转换器,有助于减小外围元件尺寸并提高系统效率。
  内置的体二极管具有快速恢复特性,可有效减少反向恢复损耗,适用于同步整流等应用。
  由于其高栅极绝缘性能和宽泛的工作温度范围,FCQ20A04在各种恶劣环境下均能保持稳定运行。

应用

FCQ20A04广泛应用于需要高效率、高功率输出的电子系统中。在电源管理领域,它常用于服务器电源、通信电源、UPS不间断电源以及模块化电源系统,作为主开关或同步整流器使用。
  在工业自动化和电机控制中,该MOSFET可用于高频逆变器、伺服驱动器和直流电机控制器,提供高效的功率输出。
  在新能源领域,如太阳能逆变器和储能系统中,FCQ20A04可用于DC-AC逆变电路,提高能量转换效率。
  此外,它还适用于电动汽车(EV)中的车载充电器(OBC)、DC-DC转换器和电池管理系统(BMS),满足汽车电子对高可靠性和高耐久性的要求。
  由于其高电流能力和低导通损耗,FCQ20A04也适用于高功率LED驱动电源、工业加热设备和焊接设备等应用场合。

替代型号

SiC MOSFET模块如Cree的C2M0025120D或ROHM的SCT3040KL可作为高频高效率替代品;若需硅基解决方案,可选用Infineon的BSC090N15NS5或ON Semiconductor的NTMFS5C434N

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