FCQ20A04 时间：2025/8/7 17:15:28 阅读：32

FCQ20A04是一款由富士电机（Fuji Electric）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频应用，如电源转换、电机控制、DC-DC转换器、逆变器以及各种工业和汽车电子系统。该器件采用先进的沟槽栅（Trench Gate）技术，具备低导通电阻（Rds(on)）、高电流容量和优良的热性能。FCQ20A04通常封装在高性能的TO-247或类似的功率封装中，以确保良好的散热性能和机械稳定性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：40V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：200A（Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大4mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：400W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-247

特性

FCQ20A04采用了富士电机专有的沟槽栅技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了效率。
　　该器件具备极高的电流承载能力，额定漏极电流可达200A，适用于高功率密度设计。
　　其低Rds(on)特性使得在大电流工作时的温升更小，从而提高了系统的可靠性和寿命。
　　此外，FCQ20A04具有优异的热稳定性，能够在高温度环境下稳定工作，适合用于高温工况下的工业和汽车应用。
　　该MOSFET还具备快速开关特性，适用于高频开关电源和DC-DC转换器，有助于减小外围元件尺寸并提高系统效率。
　　内置的体二极管具有快速恢复特性，可有效减少反向恢复损耗，适用于同步整流等应用。
　　由于其高栅极绝缘性能和宽泛的工作温度范围，FCQ20A04在各种恶劣环境下均能保持稳定运行。

应用

FCQ20A04广泛应用于需要高效率、高功率输出的电子系统中。在电源管理领域，它常用于服务器电源、通信电源、UPS不间断电源以及模块化电源系统，作为主开关或同步整流器使用。
　　在工业自动化和电机控制中，该MOSFET可用于高频逆变器、伺服驱动器和直流电机控制器，提供高效的功率输出。
　　在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，FCQ20A04可用于DC-AC逆变电路，提高能量转换效率。
　　此外，它还适用于电动汽车（EV）中的车载充电器（OBC）、DC-DC转换器和电池管理系统（BMS），满足汽车电子对高可靠性和高耐久性的要求。
　　由于其高电流能力和低导通损耗，FCQ20A04也适用于高功率LED驱动电源、工业加热设备和焊接设备等应用场合。