STP80NF06是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET。这款芯片广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用中,具有低导通电阻和高电流处理能力的特点。
STP80NF06采用了TO-220封装形式,适合需要散热性能较高的场景,同时其额定电压为60V,能够满足多种低压应用场景的需求。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:80A
导通电阻:3.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷:46nC(典型值)
输入电容:1380pF(典型值)
反向恢复时间:75ns(典型值)
工作温度范围:-55℃至+150℃
STP80NF06具备以下显著特性:
1. 极低的导通电阻使得其在高电流应用中能够降低功耗,提高效率。
2. 高额定电流能力(80A),适用于大功率系统。
3. 快速开关速度,有助于减少开关损耗并提升整体性能。
4. 具备良好的热稳定性,能够在高温环境下持续运行。
5. 紧凑的TO-220封装设计方便安装,并提供高效的散热路径。
6. 满足AEC-Q101标准,可用于汽车级应用。
STP80NF06因其高性能参数,可应用于以下领域:
1. 开关电源和AC-DC适配器中的同步整流电路。
2. DC-DC转换器中的主开关或续流二极管替代方案。
3. 各种电机驱动电路,包括电动车窗、座椅调节及冷却风扇等。
4. 负载开关和保护电路,例如过流保护、短路保护。
5. 汽车电子系统中的功率管理模块。
6. 工业设备中的功率控制单元,如焊接机、逆变器等。
IRFZ44N, FDP55N06L, STP80NP06