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STP80NF06 发布时间 时间:2025/6/12 14:37:52 查看 阅读:6

STP80NF06是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET。这款芯片广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用中,具有低导通电阻和高电流处理能力的特点。
  STP80NF06采用了TO-220封装形式,适合需要散热性能较高的场景,同时其额定电压为60V,能够满足多种低压应用场景的需求。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:80A
  导通电阻:3.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:46nC(典型值)
  输入电容:1380pF(典型值)
  反向恢复时间:75ns(典型值)
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

STP80NF06具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻使得其在高电流应用中能够降低功耗,提高效率。
  2. 高额定电流能力(80A),适用于大功率系统。
  3. 快速开关速度,有助于减少开关损耗并提升整体性能。
  4. 具备良好的热稳定性,能够在高温环境下持续运行。
  5. 紧凑的TO-220封装设计方便安装,并提供高效的散热路径。
  6. 满足AEC-Q101标准,可用于汽车级应用。

应用

STP80NF06因其高性能参数,可应用于以下领域:
  1. 开关电源和AC-DC适配器中的同步整流电路。
  2. DC-DC转换器中的主开关或续流二极管替代方案。
  3. 各种电机驱动电路,包括电动车窗、座椅调节及冷却风扇等。
  4. 负载开关和保护电路,例如过流保护、短路保护。
  5. 汽车电子系统中的功率管理模块。
  6. 工业设备中的功率控制单元,如焊接机、逆变器等。

替代型号

IRFZ44N, FDP55N06L, STP80NP06

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STP80NF06参数

  • 其它有关文件STP80NF06 View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C80A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8 毫欧 @ 40A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs150nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3850pF @ 25V
  • 功率 - 最大300W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称497-3201-5