时间：2025/5/12 14:52:35
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GA1206A120GXEBC31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，适用于各种高效率功率转换和开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能，使其非常适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景。
此型号为 N 沟道增强型 MOSFET，通过优化栅极电荷和导通电阻之间的平衡，可实现高效的功率传输和较低的能耗。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压VDS：120V
最大栅源电压VGS：±20V
最大连续漏极电流ID：65A
最大脉冲漏极电流IDpeak：180A
导通电阻RDS(on)：9.5mΩ（在VGS=10V时）
栅极电荷Qg：45nC
输入电容Ciss：1700pF
输出电容Coss：105pF
反向恢复时间trr：75ns
结温范围Tj：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，有效降低传导损耗。
2. 高效率开关性能，得益于优化的栅极电荷设计。
3. 出色的热稳定性，适合高温工作环境。
4. 快速开关速度，减少开关损耗。
5. 强大的电流处理能力，满足大功率应用场景的需求。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
7. 提供多种封装选择以适应不同的安装需求。
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
2. DC-DC 转换器和降压/升压电路。
3. 电机驱动和逆变器。
4. 负载开关和保护电路。
5. 充电器和适配器设计。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
7. 高效能源管理系统中的关键组件。
GA1206A120GXEBC30G, GA1206A120GXEBC32G
