时间：2025/7/23 12:03:56
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STP7NK80是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于各种高功率和高频率的开关电路中。该器件采用先进的STripFET F7技术制造，具有低导通电阻、高击穿电压和优良的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、照明系统及工业自动化设备等领域。STP7NK80的工作电压为800V，最大连续漏极电流可达7A，适合需要高效率和高可靠性的应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：800V
最大漏极电流(Id)：7A（TC=100℃）
导通电阻(Rds(on))：典型值为1.2Ω（在Vgs=10V时）
栅极电荷(Qg)：典型值为42nC
最大功耗(Pd)：80W
工作温度范围：-55℃至150℃
封装类型：TO-220、D2PAK等
最大栅源电压(Vgs)：±30V
漏极-源极击穿电压(BVDSS)：800V
STP7NK80采用了STMicroelectronics的先进STripFET F7技术，具备极低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，有助于降低导通损耗并提高整体能效。该MOSFET的高击穿电压（800V）使其能够在高压环境下稳定工作，适用于如功率因数校正（PFC）、DC-DC转换器和开关电源等应用。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，减少了开关过程中的能量损耗，从而提高了系统的动态响应能力。
STP7NK80还具有良好的热稳定性和高耐久性，能够在恶劣的工业环境下长时间运行。其封装形式包括TO-220和D2PAK，便于散热并支持通孔或表面贴装工艺，适应不同的PCB设计需求。该器件内置的快速恢复体二极管可有效减少反向恢复损耗，提高系统的整体效率。
在保护特性方面，STP7NK80具备良好的抗雪崩能力，能够在异常工作条件下提供额外的安全保障。其栅极驱动电压范围宽广（±30V），允许使用多种驱动电路方案，提高了设计的灵活性。
STP7NK80广泛应用于各种高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动器、照明镇流器、不间断电源（UPS）以及工业自动化控制系统。由于其高电压耐受能力和低导通电阻，该MOSFET非常适合用于需要高效能和高稳定性的电源管理方案。例如，在LED照明系统中，STP7NK80可以作为主开关元件，提供稳定可靠的电流控制；在太阳能逆变器中，它可用于DC-AC转换电路，提升系统的整体效率。
STP8NK80Z, STP6NK80Z, STP10NK80Z, FQP8N80C, IRF840
