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STP7NB30 发布时间 时间:2025/7/22 5:46:57 查看 阅读:10

STP7NB30是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高电压和高电流能力的N沟道功率MOSFET。该器件设计用于需要高效、高功率密度的电源管理系统,例如DC-DC转换器、电池充电器、电机控制器和各种开关电源(SMPS)应用。STP7NB30具有低导通电阻(Rds(on))特性,这可以减少导通损耗,提高整体系统效率。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):300V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id)@25°C:7A
  功耗(Ptot):65W
  导通电阻(Rds(on))@Vgs=10V:1.2Ω
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:TO-220

特性

STP7NB30的主要特性之一是其低导通电阻,这有助于减少在高电流条件下产生的功率损耗,从而提高效率。此外,该器件的高击穿电压(300V)使其适用于高压应用,例如工业电源和电机控制设备。
  STP7NB30还具有较高的热稳定性,可以在高温环境下稳定运行,确保系统的可靠性。其TO-220封装形式不仅便于安装,还具有良好的散热性能,有助于降低工作温度。
  另一个重要特性是其快速开关能力,这使得STP7NB30在高频开关应用中表现优异,减少了开关损耗并提高了系统响应速度。同时,该MOSFET具有良好的短路耐受能力,能够承受瞬时过载而不损坏,提高了系统的鲁棒性。
  此外,STP7NB30的栅极驱动要求较低,适合与标准逻辑驱动器配合使用,降低了外围电路的设计复杂度和成本。这种特性使得它在各种嵌入式控制系统中非常受欢迎。

应用

STP7NB30广泛应用于多种高功率电子系统中,例如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器和电机控制器。其高电压能力和低导通电阻使其成为电池充电器和电源管理模块的理想选择。
  在工业自动化领域,STP7NB30常用于控制电机和执行器的功率级,提供高效的能量转换和稳定的运行性能。在消费类电子产品中,该器件可用于电源适配器和节能灯具的功率转换模块。
  此外,STP7NB30也可用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)系统以及电动汽车的充电电路中,发挥其高可靠性和高效能的优势。在医疗设备中,该MOSFET可用于控制高精度电源供应,确保设备的稳定运行。
  由于其优异的电气特性和坚固的封装结构,STP7NB30也适用于恶劣环境下的应用,如工业机械、重型设备和户外电子装置。

替代型号

STP8NM50N, FQA7N30, IRFBC30

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STP7NB30参数

  • 制造商STMicroelectronics
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压300 V
  • 闸/源击穿电压+/- 30 V
  • 漏极连续电流7 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.75 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220
  • 封装Tube
  • 下降时间15 ns
  • 正向跨导 gFS(最大值/最小值)1.5 S
  • 最小工作温度- 65 C
  • 功率耗散85 W
  • 上升时间8 ns
  • 工厂包装数量50