电容值：1200pF
　　容差：±20%
　　额定电压：6.3V DC
　　温度特性：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0402（1005 公制）
　　介质材料：陶瓷
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍阻挡层（Ni-barrier）
　　RoHS合规性：是
　　电容温度系数：±15% @ -55°C ~ +125°C
　　直流偏压特性：随电压增加电容略有下降
　　最大厚度：0.5mm
　　长度：1.0mm
　　宽度：0.5mm

X7R介质材料赋予了UPM0J122MHD6优异的温度稳定性，其电容值在-55°C到+125°C的工作温度范围内变化不超过±15%，这使得它非常适合用于需要在宽温环境下保持性能稳定的电路设计中。相比其他如Y5V或Z5U类介质，X7R在温度变化时的电容波动更小，因此在精密定时、滤波和耦合电路中更具优势。该电容器的结构采用多层叠层工艺，通过交替堆叠陶瓷介质和内电极（通常为银钯或铜）形成高比容结构，在微小体积内实现相对较高的电容值。这种设计不仅提高了单位体积的能量存储能力，还降低了等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而增强了其在高频下的去耦效果。
　　UPM0J122MHD6的0402封装尺寸（1.0mm x 0.5mm）使其成为高密度印刷电路板（PCB）布局的理想选择，尤其适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他小型化电子产品。尽管尺寸微小，但其机械强度经过优化，能够承受回流焊接过程中的热应力，并通过严格的可靠性测试，包括温度循环、湿度偏压和机械冲击测试。镍阻挡层端接技术有效防止了银离子迁移现象，提升了器件在潮湿环境下的长期稳定性与耐久性，避免因电极腐蚀导致的早期失效。
　　此外，该器件具备良好的直流偏压响应特性。虽然所有高介电常数陶瓷电容器都会在施加直流电压时出现电容下降的现象，但X7R材质相较于高K值材料（如Y5V）表现更为平稳。在6.3V额定电压下工作时，实际可用电容仍能维持在标称值的70%-80%左右，这对于电源轨的噪声抑制和局部去耦至关重要。其低ESR和适中的电容值组合，也使其在中频段（几十MHz至数百MHz）具有优异的阻抗特性，能有效吸收开关噪声和瞬态电流波动。整体而言，UPM0J122MHD6是一款兼顾小型化、可靠性和电气性能的通用型MLCC，适用于对空间和稳定性均有要求的现代电子系统。

UPM0J122MHD6广泛应用于各类消费类电子产品中，尤其是在移动通信设备如智能手机和平板电脑中作为射频模块、基带处理器和电源管理单元的去耦电容使用。其0402的小型封装非常适合高密度PCB布局需求，能够在有限的空间内提供稳定的电容支持，帮助滤除高频噪声并稳定供电电压。在数字集成电路（IC）的电源引脚附近，该电容器常被用作旁路元件，以应对快速切换引起的瞬态电流变化，防止电压跌落影响芯片正常运行。
　　此外，该器件也常见于便携式医疗设备、物联网（IoT）终端节点、无线传感器网络和可穿戴设备中，这些应用场景通常要求元器件具备低功耗、小体积和高可靠性。UPM0J122MHD6的宽工作温度范围使其能在户外或工业环境下的电子设备中稳定工作，例如车载信息娱乐系统、工业控制模块和智能仪表等。在电源转换电路中，如DC-DC转换器和LDO稳压器的输入输出滤波环节，该电容器可用于平滑电压纹波，提升电源质量。
　　由于其X7R介质的稳定性，它也被用于中等精度的模拟信号路径中，例如音频放大器的耦合电容、ADC/DAC参考电压滤波以及传感器信号调理电路。在射频前端模块中，它可以参与构建LC匹配网络或带通滤波器，实现阻抗匹配和频率选择功能。总之，该器件凭借其可靠的电气性能和紧凑的外形，成为现代电子设计中不可或缺的基础被动元件之一。

C0603X7R1H122M