STP7N52DK3 时间：2025/7/22 13:59:56 阅读：6

STP7N52DK3 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高电压N沟道MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、照明系统以及工业控制等高功率场景。该器件采用了先进的PowerMESH?技术，具有优异的导通电阻和开关性能。STP7N52DK3采用TO-252（DPAK）封装形式，具备良好的热管理和紧凑的尺寸，适合高密度电路设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：7A（25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω（最大）
　　功率耗散（Ptot）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

STP7N52DK3具备多项优异的电气和物理特性。首先，其漏源电压高达500V，适用于高压电源转换和工业控制领域。栅源电压为±20V，允许较高的驱动电压，有助于提高导通效率并降低开关损耗。
　　其次，该MOSFET的导通电阻Rds(on)最大为1.2Ω，这一低值可显著减少导通状态下的功率损耗，提高系统整体效率。同时，该器件的最大漏极电流为7A，在高温环境下仍能保持稳定工作，具备良好的过载能力。
　　STP7N52DK3采用了STMicroelectronics先进的PowerMESH?技术，这种结构优化了电流分布，降低了电阻并提高了热稳定性。此外，该MOSFET具有良好的抗雪崩能力和较高的耐用性，可在严苛的工作条件下保持稳定运行。
　　在封装方面，STP7N52DK3采用TO-252（DPAK）封装，支持表面贴装，具备良好的散热性能，适用于自动化生产流程。这种封装形式还提供了较高的机械强度和电气绝缘性能，确保在复杂环境中可靠运行。
　　此外，STP7N52DK3具有较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），有助于减少高频开关应用中的开关损耗，提高响应速度。这使其特别适合用于DC-DC转换器、LED照明驱动器、开关电源以及电机控制等应用场合。

应用

STP7N52DK3主要应用于高压开关电源、LED照明驱动电路、DC-DC转换器、电机控制、工业自动化设备、充电器以及家用电器等功率电子系统中。其优异的电气性能和可靠的封装设计，使其能够在多种高电压和高电流环境中稳定运行。该器件也常用于电池管理系统、逆变器和不间断电源（UPS）等关键系统中，以确保高效的能量转换和良好的系统稳定性。