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STP7N52DK3 发布时间 时间:2025/7/22 13:59:56 查看 阅读:2

STP7N52DK3 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高电压N沟道MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、照明系统以及工业控制等高功率场景。该器件采用了先进的PowerMESH?技术,具有优异的导通电阻和开关性能。STP7N52DK3采用TO-252(DPAK)封装形式,具备良好的热管理和紧凑的尺寸,适合高密度电路设计。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):500V
  栅源电压(Vgs):±20V
  漏极电流(Id):7A(25°C)
  导通电阻(Rds(on)):1.2Ω(最大)
  功率耗散(Ptot):50W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

STP7N52DK3具备多项优异的电气和物理特性。首先,其漏源电压高达500V,适用于高压电源转换和工业控制领域。栅源电压为±20V,允许较高的驱动电压,有助于提高导通效率并降低开关损耗。
  其次,该MOSFET的导通电阻Rds(on)最大为1.2Ω,这一低值可显著减少导通状态下的功率损耗,提高系统整体效率。同时,该器件的最大漏极电流为7A,在高温环境下仍能保持稳定工作,具备良好的过载能力。
  STP7N52DK3采用了STMicroelectronics先进的PowerMESH?技术,这种结构优化了电流分布,降低了电阻并提高了热稳定性。此外,该MOSFET具有良好的抗雪崩能力和较高的耐用性,可在严苛的工作条件下保持稳定运行。
  在封装方面,STP7N52DK3采用TO-252(DPAK)封装,支持表面贴装,具备良好的散热性能,适用于自动化生产流程。这种封装形式还提供了较高的机械强度和电气绝缘性能,确保在复杂环境中可靠运行。
  此外,STP7N52DK3具有较低的输入电容(Ciss)和输出电容(Coss),有助于减少高频开关应用中的开关损耗,提高响应速度。这使其特别适合用于DC-DC转换器、LED照明驱动器、开关电源以及电机控制等应用场合。

应用

STP7N52DK3主要应用于高压开关电源、LED照明驱动电路、DC-DC转换器、电机控制、工业自动化设备、充电器以及家用电器等功率电子系统中。其优异的电气性能和可靠的封装设计,使其能够在多种高电压和高电流环境中稳定运行。该器件也常用于电池管理系统、逆变器和不间断电源(UPS)等关键系统中,以确保高效的能量转换和良好的系统稳定性。

替代型号

IRF740、STP8NM50、STD7N52K3、STP6NK52Z

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STP7N52DK3参数

  • 其它有关文件STP7N52DK3 View All Specifications
  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SuperFREDmesh3™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)525V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.15 欧姆 @ 3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs33nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds870pF @ 50V
  • 功率 - 最大90W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称497-10714-5