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STP76NF75 发布时间 时间:2025/5/26 21:17:31 查看 阅读:9

STP76NF75 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 沣道沟道功率 MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高效率和卓越的开关性能,适用于多种电源管理应用。其额定电压为 75V,适合用于需要高效能和低损耗的场景。

参数

最大漏源电压:75V
  连续漏极电流:76A
  导通电阻:1.4mΩ(典型值,在特定条件下)
  栅极电荷:28nC(典型值)
  总电容:3000pF(典型值)
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

STP76NF75 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,可有效降低功率损耗并提升系统效率。
  2. 高电流处理能力,能够承受高达 76A 的连续漏极电流。
  3. 优异的热稳定性,使其能够在广泛的温度范围内可靠运行。
  4. 快速开关速度,减少开关损耗并提高整体性能。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子设计中。

应用

STP76NF75 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换。
  2. DC/DC 转换器和降压/升压电路。
  3. 电机驱动和工业控制。
  4. 电池管理系统(BMS)中的充放电保护。
  5. 电信设备中的高效电源管理解决方案。

替代型号

IRFP2907ZPBF, FDP75N75AE

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STP76NF75参数

  • 其它有关文件STP76NF75 View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)75V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C80A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11 毫欧 @ 40A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs160nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3700pF @ 25V
  • 功率 - 最大300W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件
  • 其它名称497-12619-5STP76NF75-ND