STP76NF75 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 沣道沟道功率 MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高效率和卓越的开关性能,适用于多种电源管理应用。其额定电压为 75V,适合用于需要高效能和低损耗的场景。
最大漏源电压:75V
连续漏极电流:76A
导通电阻:1.4mΩ(典型值,在特定条件下)
栅极电荷:28nC(典型值)
总电容:3000pF(典型值)
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
STP76NF75 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,可有效降低功率损耗并提升系统效率。
2. 高电流处理能力,能够承受高达 76A 的连续漏极电流。
3. 优异的热稳定性,使其能够在广泛的温度范围内可靠运行。
4. 快速开关速度,减少开关损耗并提高整体性能。
5. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子设计中。
STP76NF75 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换。
2. DC/DC 转换器和降压/升压电路。
3. 电机驱动和工业控制。
4. 电池管理系统(BMS)中的充放电保护。
5. 电信设备中的高效电源管理解决方案。
IRFP2907ZPBF, FDP75N75AE