STP75NF68 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于电源管理和功率转换系统。该器件采用先进的技术制造,具有低导通电阻、高电流承载能力和出色的热性能。STP75NF68适用于各种高功率应用,如DC-DC转换器、电机驱动、电池充电器和电源开关等。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):68V
最大漏极电流(Id):75A(在Tc=25°C)
导通电阻(Rds(on)):最小8.5mΩ(典型值)
栅极电荷(Qg):72nC(最大)
工作温度范围:-55°C至175°C
封装形式:TO-220、D2PAK、IPAK等
STP75NF68 MOSFET具备多项优异特性,包括低导通电阻(Rds(on)),有助于降低导通损耗并提高能效。其高电流容量和优异的热稳定性使其在高负载条件下依然能够稳定工作。
此外,该器件具有较低的栅极电荷(Qg),有助于提高开关速度,降低开关损耗。STP75NF68的封装设计优化了散热性能,适用于高功率密度应用。
该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和高耐用性,能够在严苛的电气环境中可靠运行。同时,其宽广的工作温度范围使其适用于工业级和汽车级应用场景。
STP75NF68 MOSFET常用于各类功率电子系统,包括但不限于DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机控制电路、电池管理系统(BMS)、UPS不间断电源、太阳能逆变器和车载充电器等。
由于其优异的导通性能和高电流能力,该器件在高效电源转换和功率开关应用中表现出色,特别适合对效率和热管理有较高要求的设计。
此外,该MOSFET也可用于电机驱动器和H桥电路,在工业自动化、电动汽车和智能电网等领域具有广泛应用前景。
IRF3710, FDP75N68, STP75NF75, STP75NF28