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IXYH10N170CV1 发布时间 时间:2025/8/6 4:08:53 查看 阅读:27

IXYH10N170CV1 是由 IXYS 公司生产的一款高电压、高功率 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件设计用于高效率电源转换系统,如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、逆变器和电机控制应用。IXYH10N170CV1 具有低导通电阻、高开关速度和卓越的热性能,适合在高压环境下工作。其封装形式为 TO-247,便于散热和集成。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压(Vds):1700V
  栅源电压(Vgs):±30V
  漏极电流(Id)@25℃:10A
  导通电阻(Rds(on)):最大 1.75Ω
  功率耗散(Ptot):125W
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  封装类型:TO-247

特性

IXYH10N170CV1 具备多项优异特性,使其适用于高压和高功率应用。首先,其高漏源电压(1700V)使其能够在高电压环境下稳定工作,适用于高压电源转换器和逆变器。其次,该 MOSFET 的导通电阻较低(最大 1.75Ω),有助于降低导通损耗,提高整体系统效率。此外,其最大漏极电流为 10A,在适当的散热条件下可支持较高的负载能力。
  该器件的栅源电压范围为 ±30V,具有较强的栅极驱动能力,同时具备良好的抗干扰能力。TO-247 封装设计提供了良好的散热性能,确保在高功率工作状态下仍能保持较低的结温,从而提高器件的可靠性和寿命。此外,该 MOSFET 还具备快速开关特性,适合用于高频开关应用,如谐振转换器和 ZVS(零电压开关)拓扑结构。
  在保护方面,IXYH10N170CV1 具备一定的过温保护能力和雪崩能量承受能力,进一步增强了其在恶劣工作环境下的稳定性。

应用

IXYH10N170CV1 主要用于需要高电压和中等功率处理能力的电力电子系统。典型应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC 升压/降压转换器、高压逆变器、不间断电源(UPS)、工业电机控制、太阳能逆变器以及电动车充电系统等。由于其高耐压特性和良好的导通性能,该器件也常用于高频开关电路,如 LLC 谐振转换器和 ZVS 拓扑结构,以提高系统效率并减小变压器和电感的尺寸。
  此外,IXYH10N170CV1 也可用于高压 LED 驱动电源、感应加热设备以及工业自动化控制系统中的功率开关部分。其良好的热管理和高可靠性使其成为高温环境下工作的理想选择。

替代型号

IXFH10N170P, IXTP10N170HV, STYH10N170V5

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IXYH10N170CV1参数

  • 现有数量1,355现货
  • 价格1 : ¥110.11000管件
  • 系列XPT?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • IGBT 类型-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)1700 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)36 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)84 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)3.8V @ 15V,10A
  • 功率 - 最大值280 W
  • 开关能量1.4mJ(开),700μJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷46 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值14ns/130ns
  • 测试条件850V,10A,10Ohm,15V
  • 反向恢复时间 (trr)160 ns
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商器件封装TO-247(IXYH)