时间：2025/6/17 16:30:05
阅读：4
STP6635GH是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装形式，具有高效率和低导通电阻的特点，适用于各种开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用场合。
这款MOSFET以其卓越的电气性能和可靠性而著称，适合需要大电流处理能力的应用环境。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：35A
栅极电荷：47nC
导通电阻：3.5mΩ
功耗：180W
工作结温范围：-55℃至175℃
STP6635GH是一款高性能的功率MOSFET，其主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高额定电流（35A），适合在高功率密度环境下使用。
3. 快速开关能力，有助于降低开关损耗，并支持高频操作。
4. 符合RoHS标准，确保环保要求。
5. 可靠性高，能够在极端温度条件下稳定运行。
6. 小巧的TO-220封装设计，便于安装与散热管理。
这些特点使得STP6635GH成为工业和消费类电子设备的理想选择。
STP6635GH广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计中作为主开关管。
2. DC-DC转换器中的同步整流管。
3. 电机驱动电路，用于控制直流电机的速度和方向。
4. 电池保护电路，防止过充或过放。
5. 各种负载切换应用，如汽车电子系统中的继电器替代方案。
6. 工业自动化设备中的功率管理模块。
由于其强大的电流承载能力和高效的工作表现，STP6635GH非常适合于需要高功率输出的应用场景。
IRFZ44N
STP55NF06
FDP55N06L
