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STP60NF03L 发布时间 时间:2025/6/28 23:27:24 查看 阅读:8

STP60NF03L 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 沗道功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用先进的沟槽式技术制造,具有低导通电阻、快速开关特性和高电流处理能力。
  STP60NF03L 的设计使其非常适合用于各种需要高效功率转换的应用场景,如 DC-DC 转换器、电机驱动、开关电源和负载切换等。其封装形式通常为 TO-220 或 DPAK 等表面贴装和插件封装,便于集成到不同的电路设计中。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:60A
  导通电阻:4.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷:8nC(典型值)
  总电容(输入电容):1150pF
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装类型:TO-220, DPAK

特性

STP60NF03L 的主要特点是其低导通电阻,这使得在高电流应用中能够显著降低传导损耗,从而提高效率并减少发热。
  此外,该 MOSFET 具有快速的开关特性,能够支持高频操作,这对于现代开关电源和 DC-DC 转换器尤为重要。
  它还具备良好的热稳定性,能够在较宽的温度范围内可靠运行,适合工业及汽车级应用。
  同时,STP60NF03L 提供了多种封装选项以满足不同安装方式的需求,例如 TO-220 和 DPAK 封装分别适用于通孔焊接和表面贴装工艺。
  总之,这款器件以其出色的性能和可靠性成为众多功率电子应用的理想选择。

应用

STP60NF03L 广泛应用于需要高效功率管理的领域,包括但不限于以下方面:
  - 开关电源(SMPS)
  - DC-DC 转换器
  - 电池管理系统
  - 电机驱动与控制
  - 工业自动化设备中的负载切换
  - 汽车电子系统
  - LED 驱动电路
  由于其高电流承载能力和快速开关特性,STP60NF03L 特别适合于要求高效率和紧凑设计的功率转换解决方案。

替代型号

STP60NM60L, IRF640N, FDP55N06L

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STP60NF03L参数

  • 其它有关文件STP60NF03L View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C60A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 毫欧 @ 30A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs58nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2550pF @ 25V
  • 功率 - 最大100W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称497-12616-5STP60NF03L-ND