时间：2025/5/22 12:33:29
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STP60NE03L-10 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。
这款MOSFET在设计上注重效率和性能优化，能够有效降低功耗并提升系统稳定性。
最大漏源电压：45V
连续漏极电流：60A
导通电阻：8.5mΩ
栅极电荷：27nC
开关时间：ton=19ns, toff=16ns
结温范围：-55℃至175℃
STP60NE03L-10 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高整体效率。
2. 快速开关能力，适合高频工作环境。
3. 高雪崩能量耐受能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 热稳定性强，能够在宽温度范围内可靠运行。
5. 符合RoHS标准，环保且安全。
该MOSFET广泛应用于多种场景中，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率转换。
2. DC-DC转换器的核心开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制。
4. 负载开关和保护电路。
5. 电池管理系统（BMS）中的充放电管理。
STP60NF03L-10
