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W3L16C473MAT1A 发布时间 时间:2025/6/27 13:06:27 查看 阅读:23

W3L16C473MAT1A 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片,广泛应用于功率转换、电源管理以及各种电子电路中。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效减少功耗并提高系统效率。
  这款 MOSFET 芯片主要适用于消费类电子产品、工业设备及汽车电子领域。其封装形式为行业标准的小型化设计,有助于节省 PCB 空间。

参数

最大漏源电压:40V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:120A
  导通电阻:0.8mΩ
  总栅极电荷:85nC
  开关频率:高达 1MHz
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

W3L16C473MAT1A 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可以显著降低导通损耗。
  2. 高电流承载能力,支持大功率应用。
  3. 快速开关性能,适合高频应用场景。
  4. 强大的热稳定性,能够在极端温度条件下可靠运行。
  5. 小型化封装设计,便于集成到紧凑型电路中。
  6. 高度可靠的电气性能,保证长时间稳定工作。

应用

该 MOSFET 器件可应用于多种场景,包括但不限于:
  1. 开关电源 (SMPS) 中的功率级控制。
  2. 电机驱动器中的逆变器模块。
  3. DC-DC 转换器中的同步整流。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 汽车电子系统的电源管理单元。
  6. 充电器和适配器的设计与开发。

替代型号

W3L16C473MAT1B, W3L16C473MAT2A

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W3L16C473MAT1A参数

  • 标准包装4,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列IDC
  • 电容0.047µF
  • 电压 - 额定6.3V
  • 容差±20%
  • 温度系数X7R
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用旁通,去耦
  • 额定值-
  • 封装/外壳0612(1632 公制)
  • 尺寸/尺寸0.050" L x 0.080" W(1.27mm x 2.03mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.037"(0.95mm)
  • 引线间隔-
  • 特点低 ESL 型(多端子)
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-