STP5N60 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 沣道开关功率晶体管,采用 TO-220 封装。该器件属于 ST 的 PowerMOS 系列,专为高电压应用设计,广泛用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率转换的场景。
STP5N60 使用先进的 MOSFET 技术,具有低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低功耗并提升系统效率。
最大漏源电压(VDS):600V
连续漏极电流(ID):5A
栅极阈值电压(VGS(th)):3V 至 5V
导通电阻(Rds(on)):1.8Ω(典型值,在 VGS=10V 时)
总功耗(Ptot):115W
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
STP5N60 具有以下显著特性:
1. 高击穿电压(600V),适用于高压环境。
2. 低导通电阻(1.8Ω 典型值),有助于减少导通损耗。
3. 快速开关能力,适合高频应用。
4. 高可靠性与稳定性,确保在严苛条件下长期运行。
5. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代工业要求。
STP5N60 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)。
2. DC-DC 转换器。
3. 电机控制与驱动。
4. 电磁阀驱动。
5. 各类工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 家用电器中的功率调节部分。
IRF650, FQP17N60, K1311