晶体管类型：NPN
　　封装类型：SOT-23
　　最大集电极电流：100mA
　　最大集电极-发射极电压：150V
　　最大集电极-基极电压：100V
　　最大功耗：300mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　增益带宽：100MHz
　　电流增益（hFE）：最小值80（Ic=2mA，Vce=5V）

MMBT5551晶体管具有多项优异特性，使其在电子设计中表现突出。首先，其SOT-23封装体积小巧，适合空间受限的应用，同时具备良好的散热性能。其次，该晶体管的电流增益较高，能够在低电流条件下提供稳定的放大性能。此外，MMBT5551的最大集电极-发射极电压为150V，使其适用于高电压操作环境。晶体管的频率响应范围宽广，能够支持高达100MHz的工作频率，因此在高频放大和开关应用中表现良好。最后，其最大功耗为300mW，确保在多种工作条件下保持稳定运行。
　　MMBT5551还具有良好的温度稳定性，可在-55°C至150°C的范围内正常工作，适用于极端环境下的电子设备。晶体管的基极-发射极电压约为0.7V，这使其在常见的偏置电路中易于使用。由于其广泛的适用性，MMBT5551常用于数字电路中的开关元件、模拟电路中的放大器以及各种电源管理应用。

MMBT5551适用于多种电子电路设计，包括开关电路、放大器、逻辑电路和电源管理模块。在数字电路中，它常用作晶体管-晶体管逻辑（TTL）电路的一部分，用于实现信号的开关控制。在模拟电路中，MMBT5551可作为低噪声前置放大器或高频放大器的核心元件。此外，它也广泛用于电源转换器、电机驱动电路以及传感器信号调理电路。

2N5551, BC547, PN2222A