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STP4NC60AFP 发布时间 时间:2025/7/22 14:28:49 查看 阅读:3

STP4NC60AFP 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于高电压和高电流的应用场合。该器件采用先进的MDmesh?技术,具有低导通电阻、高开关性能和良好的热稳定性,适用于电源转换、电机控制、照明系统以及各种电力电子设备中。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):4A
  最大漏-源电压(VDS):600V
  导通电阻(RDS(on)):典型值为1.2Ω
  栅极电荷(Qg):14nC
  功率耗散(Ptot):50W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TO-220FP

特性

STP4NC60AFP 的主要特性之一是其采用了先进的MDmesh?技术,该技术显著降低了导通电阻并提高了器件的开关性能。这种结构设计减少了电场集中效应,从而增强了器件的耐压能力和可靠性。
  此外,该MOSFET具有出色的热稳定性,在高功率应用中表现出色,能够有效散热,延长使用寿命。其低栅极电荷(Qg)也使得开关损耗更小,适合高频开关操作。
  在可靠性方面,STP4NC60AFP 具有良好的短路耐受能力,并且在高温环境下仍能保持稳定工作状态,适合工业级应用需求。
  封装方面,该器件采用 TO-220FP 封装,具有良好的散热性能,便于安装在散热片上,适用于多种电路板布局。

应用

STP4NC60AFP 广泛应用于各种电力电子设备中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、LED照明系统、工业自动化控制系统等。在这些应用中,该MOSFET能够提供高效的功率转换和稳定的性能表现。
  在电源管理领域,该器件适用于高电压输入的AC-DC转换器,能够有效降低导通损耗,提高整体效率。
  在电机控制应用中,STP4NC60AFP 可作为H桥电路中的开关元件,实现对电机转速和方向的精确控制。
  此外,该MOSFET也可用于LED照明系统的电源调节模块,提供稳定的电流输出并减少能耗。
  由于其高耐压能力和良好的热管理性能,该器件也常用于工业自动化系统中的继电器替代或高边开关应用。

替代型号

STP4NC60FD, STP4NK60ZFP, STP8NK60ZFP

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