类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：45A（在Tc=25℃时）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.14Ω（最大值）
　　功率耗散（Ptot）：200W
　　工作温度范围：-55℃至+175℃
　　封装形式：TO-220、TO-247等

STP45NM60具有多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其漏源电压（Vds）高达600V，支持在高压系统中作为开关元件使用。其次，该MOSFET的导通电阻（Rds(on)）仅为0.14Ω，这意味着在导通状态下，器件的功率损耗较低，有助于提高系统整体效率。
　　此外，该器件的连续漏极电流能力为45A，在适当的散热条件下能够处理较大的负载电流，适合高功率密度设计。STP45NM60的栅极驱动电压范围为±30V，具备较强的抗干扰能力，同时兼容常见的MOSFET驱动电路。
　　在封装方面，STP45NM60提供TO-220和TO-247等标准功率封装形式，便于安装和散热管理。该器件的热阻较低，能够有效散热，确保在高功率环境下稳定运行。
　　其工作温度范围从-55℃到+175℃，适用于各种严苛的工业环境，并具有良好的热稳定性和可靠性。此外，该MOSFET具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在电压突变或电感负载切换时提供额外的保护。

STP45NM60广泛应用于各种电力电子系统中，尤其是在需要高效功率转换和控制的场合。例如，它常用于AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和功率因数校正（PFC）电路中，作为主开关元件以提高能效并减小系统体积。
　　在电机控制领域，STP45NM60可用于H桥电路或变频器中，作为控制电机速度和方向的开关器件。此外，该MOSFET也适用于工业自动化设备、UPS（不间断电源）、电池管理系统（BMS）以及光伏逆变器等高功率应用。
　　由于其具备较高的耐压能力和导通性能，STP45NM60也常用于高频电源变换器和功率放大器设计中，确保在高频工作条件下的稳定性和效率。其良好的热性能也使其适合在紧凑型功率模块中使用，以提高系统的整体功率密度。

IRF450、FDP450、STP40NF60、STP55NM60