时间：2025/7/23 20:16:14
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APT10M19BVFR 是一款由 Microchip Technology 生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于高压、大电流的 N 沟道 MOSFET。该器件设计用于高效率、高频开关应用，适用于电源转换、电机控制、DC-DC 转换器等领域。APT10M19BVFR 采用先进的沟槽栅极技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，使其在高功率密度应用中表现出色。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：190V
最大漏极电流（ID）：10A
最大功耗（PD）：83W
导通电阻（RDS(on)）：0.22Ω（最大值）
栅极电荷（Qg）：45nC
输入电容（Ciss）：1400pF
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-220
APT10M19BVFR 具备多项优异特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。这对于需要高效率和低发热的电源转换器和电机控制电路尤为重要。
其次，该器件的高电流处理能力（10A）和高压耐受能力（190V）使其适用于多种高功率应用场景，如 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）和逆变器。此外，APT10M19BVFR 的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高高频开关应用的性能。
该器件还具有良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作（-55°C 至 150°C）。其 TO-220 封装形式便于安装和散热管理，适用于多种 PCB 设计和散热方案。
APT10M19BVFR 采用先进的沟槽栅极技术，提升了器件的开关性能和可靠性，同时降低了寄生电容，提高了高频应用的响应速度。这使得该 MOSFET 在高频开关电路中表现出色，适用于现代电力电子设备对高效率、高频率的要求。
APT10M19BVFR 主要应用于需要高效率、高功率密度的电力电子设备中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 转换器、电机驱动器和逆变器。在开关电源中，APT10M19BVFR 可用于主开关或同步整流器，以提高转换效率并减少发热。
在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，实现高效的电压转换。其低导通电阻和低栅极电荷特性有助于减少导通和开关损耗，提高转换效率。
在电机驱动器中，APT10M19BVFR 可用于控制电机的运行状态，包括速度、方向和制动。其高电流处理能力和良好的热稳定性使其能够在高负载条件下稳定工作。
此外，APT10M19BVFR 还可用于太阳能逆变器、电动汽车充电系统和工业自动化设备等高功率应用中，提供可靠、高效的功率开关解决方案。
IRFZ44N, FDPF10N20, FQA10N20
