STP45NF3LL是一款N沟道增强型功率MOSFET,由意法半导体(STMicroelectronics)制造。该器件专为高效率电源管理和功率转换应用设计,具有低导通电阻、高耐压能力及优良的热稳定性,适用于DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统以及其他高功率电子设备。STP45NF3LL采用了先进的技术,确保在高频率下依然能够稳定运行,并具备良好的抗雪崩击穿能力。
类型:N沟道
最大漏极电流(ID):45A
漏源极击穿电压(VDS):30V
栅源极电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):最大值4.5mΩ(在VGS=10V时)
功率耗散(PD):100W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-220、D2PAK、IPAK等多种封装形式可选
STP45NF3LL具有多个关键特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其极低的导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率,这对于高电流应用尤其重要。其次,该MOSFET具备较高的电流承载能力和良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持可靠工作。此外,STP45NF3LL具有快速开关特性,适用于高频开关电源设计,减少开关损耗并提升整体性能。该器件还具备出色的抗雪崩能力,能够在过载或瞬态条件下保持稳定运行,增强系统的安全性和耐用性。此外,其多种封装形式提供了灵活的PCB布局选项,适应不同应用需求。
STP45NF3LL广泛应用于各类功率电子系统中,包括但不限于:DC-DC转换器、同步整流器、电机控制与驱动器、电池管理系统(BMS)、汽车电子(如车载充电器和起停系统)、工业电源及高功率LED驱动器。在汽车电子领域,该MOSFET可应用于48V轻混系统中的功率转换模块,提供高效稳定的电能管理方案。
IRF45N30、IPW45N30、FDP45N30、Si45N30