时间：2025/7/22 23:07:21
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STP45NF3LL是一款N沟道增强型功率MOSFET，由意法半导体（STMicroelectronics）制造。该器件专为高效率电源管理和功率转换应用设计，具有低导通电阻、高耐压能力及优良的热稳定性，适用于DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统以及其他高功率电子设备。STP45NF3LL采用了先进的技术，确保在高频率下依然能够稳定运行，并具备良好的抗雪崩击穿能力。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：45A
漏源极击穿电压（VDS）：30V
栅源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值4.5mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：100W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220、D2PAK、IPAK等多种封装形式可选
STP45NF3LL具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，这对于高电流应用尤其重要。其次，该MOSFET具备较高的电流承载能力和良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持可靠工作。此外，STP45NF3LL具有快速开关特性，适用于高频开关电源设计，减少开关损耗并提升整体性能。该器件还具备出色的抗雪崩能力，能够在过载或瞬态条件下保持稳定运行，增强系统的安全性和耐用性。此外，其多种封装形式提供了灵活的PCB布局选项，适应不同应用需求。
STP45NF3LL广泛应用于各类功率电子系统中，包括但不限于：DC-DC转换器、同步整流器、电机控制与驱动器、电池管理系统（BMS）、汽车电子（如车载充电器和起停系统）、工业电源及高功率LED驱动器。在汽车电子领域，该MOSFET可应用于48V轻混系统中的功率转换模块，提供高效稳定的电能管理方案。
IRF45N30、IPW45N30、FDP45N30、Si45N30
