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STP40NF10L 发布时间 时间:2025/6/19 6:56:22 查看 阅读:3

STP40NF10L 是由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TO-220 封装,具有低导通电阻和高效率的特点,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载切换等场景。
  STP40NF10L 的设计使其在高电流和高频应用中表现出色,其出色的热性能和电气性能确保了系统运行的稳定性和可靠性。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:65mΩ
  栅极电荷:38nC
  总功耗:175W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

STP40NF10L 采用先进的制造工艺,具有以下特点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够有效降低功率损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关特性,适合高频应用。
  3. 高电流承载能力,支持高达 40A 的连续漏极电流。
  4. 强大的散热性能,能够承受较高的结温。
  5. 可靠性高,适用于严苛的工作环境。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子设计中。

应用

STP40NF10L 主要应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动和控制电路。
  3. 各种工业设备中的负载切换。
  4. 电池管理系统 (BMS) 中的保护和切换功能。
  5. 电信和消费类电子产品的电源管理模块。
  6. 逆变器和 UPS 系统中的功率转换部分。

替代型号

STP40N6F, IRFZ44N, FDP5560

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STP40NF10L参数

  • 其它有关文件STP40NF10L View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C40A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C33 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs64nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2300pF @ 25V
  • 功率 - 最大150W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称497-6741-5STP40NF10L-ND