时间：2025/6/25 16:36:59
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STP3LN80K5 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沣道通 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款器件采用 TO-220FP 封装，广泛应用于功率转换、电机驱动和负载开关等应用中。其设计特点是低导通电阻和高电流处理能力，适合在需要高效功率管理的电路中使用。
该器件具有出色的电气特性和热性能，能够在高频和高温环境下稳定工作。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：3A
导通电阻：0.16Ω
栅极电荷：40nC
总功耗：4W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
STP3LN80K5 的主要特性包括：
1. 低导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
3. 快速开关速度，减少开关损耗并提升高频应用中的表现。
4. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子产品的要求。
5. 紧凑的 TO-220FP 封装设计，便于散热和安装。
这些特点使该器件非常适合用于消费电子、工业控制以及汽车电子领域。
STP3LN80K5 可应用于多种场景，例如：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 直流-直流转换器中的同步整流。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 各类负载开关和保护电路。
5. 电池管理系统中的充放电控制。
由于其优异的电气性能和可靠性，这款 MOSFET 在许多高性能需求的应用中表现出色。
IRFZ44N
AO3400
FDP5800
