GJM1555C1H4R7BB01D是一款高性能的钽电容器,属于固态钽电容系列。该型号采用了先进的工艺制造,具有高可靠性、低等效串联电阻(ESR)和稳定的电气性能。它广泛应用于需要高频滤波、电源去耦和信号调节的场景中,尤其是在要求体积小、重量轻且性能稳定的应用场合。
容量:4.7μF
额定电压:35V
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
封装类型:表面贴装(SMD)
尺寸:EIA 1811 (4.5mm x 4.3mm)
高度:最大1.9mm
等效串联电阻(ESR):典型值≤10mΩ
耐纹波电流能力:高达350mA RMS
绝缘电阻:≥1000MΩ
该钽电容器具有优异的频率响应特性和低阻抗特性,适合在高频电路中使用。
采用固态锰 dioxide (MnO2) 作为阴极材料,确保了器件的高可靠性和长寿命。
其小型化设计非常适合现代电子设备对紧凑型元件的需求。
GJM1555C1H4R7BB01D能够承受较宽的工作温度范围,适应各种恶劣环境下的应用。
此外,它的低漏电流特性也使得其特别适合于低功耗系统中。
该钽电容器主要应用于消费类电子产品、通信设备、计算机及其外设、工业控制等领域。
具体应用场景包括但不限于:
1. 电源电路中的滤波和去耦功能,提升电源稳定性。
2. 高频信号处理电路中的旁路电容。
3. 稳压电路中的储能电容。
4. 数据采集系统中的抗干扰组件。
5. 各种便携式设备中的能量存储与释放部件。
GJM1555C1H4R7BA01D
GJM1555C1H4R7BC01D
GJM1555C1H4R7BD01D