时间：2025/6/29 10:34:36
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STP36NF06L 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用中。
这款 MOSFET 的封装形式为 TO-220AB，具有良好的散热性能，适合较高功率的应用场景。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：36A
最大栅源电压：±20V
导通电阻（典型值，在 Vgs=10V 时）：25mΩ
总功耗：140W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
STP36NF06L 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可以显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
3. 快速开关性能，适用于高频开关应用。
4. 内置反向二极管，能够有效处理感性负载的反向电流。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 封装形式为 TO-220AB，具备良好的散热性能，便于集成到各种功率电子设计中。
STP36NF06L 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器中的功率开关元件。
3. 各种电机驱动应用，例如无刷直流电机控制。
4. 工业设备中的负载开关和保护电路。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
6. 汽车电子设备中的功率管理部分。
IRFZ44N
STP40NF06L
FDP5800
