时间：2025/6/13 13:01:01
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STP2N80K5 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沣道晶体管。该器件采用 TO-220 封装，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等功率电子领域。它具有高击穿电压和低导通电阻的特点，能够满足各种工业和消费类应用的需求。
STP2N80K5 属于 MOSFET 类型的功率晶体管，其设计优化了开关特性和导通性能，适用于需要高效能和高可靠性的电路。
最大漏源电压：800V
连续漏极电流：2A
栅极阈值电压：4V
导通电阻：1.6Ω
总功耗：75W
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装类型：TO-220
STP2N80K5 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，可承受高达 800V 的漏源电压，适用于高压环境下的应用。
2. 较低的导通电阻（1.6Ω），有助于减少导通时的能量损耗。
3. 快速开关特性，支持高频操作，适合开关电源和其他高频电路。
4. 可靠性高，能够在 -55℃ 至 +150℃ 的宽温度范围内稳定工作。
5. 封装形式为标准 TO-220，易于安装和散热处理。
这些特性使得 STP2N80K5 成为一种高效且耐用的功率 MOSFET，适用于多种电力转换和控制场景。
STP2N80K5 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. 电机驱动电路中的功率级开关。
3. 各种逆变器电路，如太阳能逆变器和 UPS 系统。
4. 电池充电器和 DC-DC 转换器中的功率调节模块。
5. 工业自动化设备中的开关和保护电路。
由于其高电压能力和低导通电阻，STP2N80K5 在需要高效功率转换和控制的场合表现出色。
STP2N80KA, IRF840, K1208
