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STP27N3LH5 发布时间 时间:2025/6/20 22:14:48 查看 阅读:4

STP27N3LH5是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用Trench技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种功率转换和电机驱动应用。其封装形式为TO-220 Fullpak,适合于需要高效能和散热良好的应用场景。
  STP27N3LH5的额定电压为30V,能够承受较高的瞬态电压,同时具备出色的热稳定性和电气性能,非常适合用于直流-直流转换器、开关电源、负载切换以及电机控制等电路中。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:27A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:49nC
  输入电容:1690pF
  总功耗:140W
  工作结温范围:-55℃至+175℃
  封装类型:TO-220 Fullpak

特性

STP27N3LH5具有极低的导通电阻,这有助于减少传导损耗并提高整体效率。同时,其快速开关特性和较低的栅极电荷使其在高频开关应用中表现出色。
  此外,该器件采用了先进的Trench工艺,确保了良好的热性能和可靠性。STP27N3LH5还具有较强的雪崩能力和抗静电能力,能够在恶劣环境下正常工作。
  由于其出色的电气特性和散热性能,这款MOSFET广泛应用于工业、消费类电子及汽车领域中的各种功率管理场景。

应用

STP27N3LH5适用于多种功率电子应用,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(Switching Power Supplies)
  2. 电机驱动与控制(Motor Drive and Control)
  3. 直流-直流转换器(DC-DC Converters)
  4. 电池管理系统(Battery Management Systems)
  5. 工业自动化设备中的负载切换
  6. 汽车电子系统中的功率管理
  7. 家用电器中的功率转换模块

替代型号

STP28NF3LH5
  IRFZ44N
  FDP55N20
  STP24NF3L

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STP27N3LH5参数

  • 其它有关文件STP27N3LH5 View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C27A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 13.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs4.6nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds475pF @ 25V
  • 功率 - 最大45W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称497-9095-5