STP24NF10是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-220封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于各种功率转换和电机驱动应用。
STP24NF10的主要特点是其额定电压为100V,连续漏极电流可达24A(在特定条件下)。这种MOSFET广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器等领域。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:24A
导通电阻:8.5mΩ(典型值,在特定条件下)
栅极电荷:39nC(典型值)
开关时间:开启延迟时间:17ns(典型值),上升时间:10ns(典型值),关闭延迟时间:29ns(ns(典型值)
工作结温范围:-55°C至+175°C
封装形式:TO-220
STP24NF10是一款高性能的功率MOSFET,具有以下特点:
1. 额定电压高达100V,适用于中等功率的应用场景。
2. 低导通电阻,可有效减少功率损耗,提高系统效率。
3. 高开关速度设计,能够适应高频开关应用需求。
4. 具有出色的热性能和电气稳定性,能够在宽温度范围内可靠运行。
5. TO-220封装提供了良好的散热性能,方便安装与使用。
这些特性使得STP24NF10成为许多功率转换和控制电路的理想选择。
STP24NF10广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)设计中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
3. 各类电机驱动电路中的功率级开关。
4. 电池管理系统(BMS)中的保护开关。
5. 照明系统中的电子镇流器或LED驱动器。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
由于其高性能和可靠性,STP24NF10特别适合需要高效能和快速响应的功率应用。
IRFZ44N, STP36NF10L, FDP5500