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STP24NF10 发布时间 时间:2025/5/29 0:45:44 查看 阅读:6

STP24NF10是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-220封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于各种功率转换和电机驱动应用。
  STP24NF10的主要特点是其额定电压为100V,连续漏极电流可达24A(在特定条件下)。这种MOSFET广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器等领域。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:24A
  导通电阻:8.5mΩ(典型值,在特定条件下)
  栅极电荷:39nC(典型值)
  开关时间:开启延迟时间:17ns(典型值),上升时间:10ns(典型值),关闭延迟时间:29ns(ns(典型值)
  工作结温范围:-55°C至+175°C
  封装形式:TO-220

特性

STP24NF10是一款高性能的功率MOSFET,具有以下特点:
  1. 额定电压高达100V,适用于中等功率的应用场景。
  2. 低导通电阻,可有效减少功率损耗,提高系统效率。
  3. 高开关速度设计,能够适应高频开关应用需求。
  4. 具有出色的热性能和电气稳定性,能够在宽温度范围内可靠运行。
  5. TO-220封装提供了良好的散热性能,方便安装与使用。
  这些特性使得STP24NF10成为许多功率转换和控制电路的理想选择。

应用

STP24NF10广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)设计中的功率开关元件。
  2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
  3. 各类电机驱动电路中的功率级开关。
  4. 电池管理系统(BMS)中的保护开关。
  5. 照明系统中的电子镇流器或LED驱动器。
  6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  由于其高性能和可靠性,STP24NF10特别适合需要高效能和快速响应的功率应用。

替代型号

IRFZ44N, STP36NF10L, FDP5500

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STP24NF10参数

  • 其它有关文件STP24NF10 View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C26A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C60 毫欧 @ 12A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs41nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds870pF @ 25V
  • 功率 - 最大85W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称497-3185-5