时间：2025/7/22 7:43:41
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STP2310BGA是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET，封装形式为BGA（球栅阵列封装），适用于高密度、高性能的功率管理应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热性能，广泛用于电源转换、电机控制、DC-DC转换器等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：110A（在Tc=25°C）
导通电阻（RDS(on)）：最大值4.5mΩ（典型值3.5mΩ）
功率耗散（PD）：100W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：BGA
引脚数：8
STP2310BGA具有多项优良特性，包括低导通电阻（RDS(on)），可减少导通损耗并提高能效；采用先进的沟槽技术，提供更优的电流处理能力与热性能；封装形式为BGA，有助于提高PCB布局的灵活性和散热效率；该器件具有较高的雪崩能量承受能力，确保在严苛工况下的可靠性；同时，其栅极设计优化了开关性能，降低了开关损耗。此外，STP2310BGA还具备良好的抗短路能力，适用于需要高可靠性的应用场景。
STP2310BGA适用于多种高功率和高性能电子系统，如DC-DC降压/升压转换器、电源管理模块、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备、服务器电源和电动汽车充电系统等。由于其高效率和紧凑封装的特点，该MOSFET也常用于需要空间优化的便携式设备和汽车电子系统。
STP100N3LLH5AG；STP300N4LLH5AG；STP300N4F36LS；STP100N4LLH5AG
