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STP2310BGA 发布时间 时间:2025/7/22 7:43:41 查看 阅读:5

STP2310BGA是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET,封装形式为BGA(球栅阵列封装),适用于高密度、高性能的功率管理应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热性能,广泛用于电源转换、电机控制、DC-DC转换器等领域。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):30V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):110A(在Tc=25°C)
  导通电阻(RDS(on)):最大值4.5mΩ(典型值3.5mΩ)
  功率耗散(PD):100W
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装类型:BGA
  引脚数:8

特性

STP2310BGA具有多项优良特性,包括低导通电阻(RDS(on)),可减少导通损耗并提高能效;采用先进的沟槽技术,提供更优的电流处理能力与热性能;封装形式为BGA,有助于提高PCB布局的灵活性和散热效率;该器件具有较高的雪崩能量承受能力,确保在严苛工况下的可靠性;同时,其栅极设计优化了开关性能,降低了开关损耗。此外,STP2310BGA还具备良好的抗短路能力,适用于需要高可靠性的应用场景。

应用

STP2310BGA适用于多种高功率和高性能电子系统,如DC-DC降压/升压转换器、电源管理模块、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、工业自动化设备、服务器电源和电动汽车充电系统等。由于其高效率和紧凑封装的特点,该MOSFET也常用于需要空间优化的便携式设备和汽车电子系统。

替代型号

STP100N3LLH5AG;STP300N4LLH5AG;STP300N4F36LS;STP100N4LLH5AG

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