类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　漏极电流（ID）：240A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：约1.8mΩ（典型值）
　　栅极电压（VGS）：10V（驱动电压）
　　功率耗散（PD）：360W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6（双面散热）或类似高功率封装

STP240N10F7-36966406-192550 的核心优势在于其极低的导通电阻（RDS(on)），这显著降低了导通损耗并提高了整体系统效率。该器件采用了ST的先进PowerMESH技术，确保了优异的电流分配能力和热稳定性。其高电流承载能力和优异的热管理性能使其在高负载条件下依然保持稳定运行。
　　此外，该MOSFET具备出色的短路耐受能力和抗过载能力，适合在要求高可靠性的工业和汽车应用中使用。其封装设计支持双面散热，有助于进一步优化热性能，延长器件寿命。
　　在驱动特性方面，该器件具有较低的栅极电荷（Qg），使得开关速度更快，开关损耗更低，从而提高整体电源系统的效率。同时，其反向恢复特性也得到了优化，有助于减少在同步整流和桥式拓扑中的能量损耗。

STP240N10F7-36966406-192550 主要应用于高性能电源系统，如服务器电源、电信设备电源、工业电机驱动、DC-DC转换器以及电动汽车（EV）充电系统等高功率密度场景。其优异的导通和开关性能使其成为高频开关电源和同步整流电路的理想选择。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器（OBC）、电池管理系统（BMS）和48V轻混系统中的功率转换模块。此外，在可再生能源系统（如太阳能逆变器和储能系统）中，该MOSFET也能提供高效率和高可靠性的解决方案。
　　由于其高耐压和大电流能力，该器件也广泛用于工业自动化设备中的电机驱动器、UPS系统和高频焊接设备等高功率应用。

STP240N10F7AG-TR, STP240N10F7L, IPW60R020C7, SiR182DP