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H5TC2G83DFR-PBA 发布时间 时间:2025/9/1 18:25:51 查看 阅读:9

H5TC2G83DFR-PBA 是由SK Hynix生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款DRAM芯片采用了先进的技术,具备高速数据存取能力和较低的功耗,适用于需要高效内存管理的电子设备。它通常用于需要高性能内存的领域,如计算机系统、服务器、网络设备和消费类电子产品。

参数

容量:256MB
  类型:DRAM
  封装类型:TSOP
  工作电压:2.3V至3.6V
  数据传输速率:166MHz
  数据总线宽度:16位
  时钟频率:166MHz
  刷新周期:64ms
  工作温度范围:-40°C至+85°C

特性

H5TC2G83DFR-PBA是一款高性能的DRAM芯片,具备高速存取和低功耗的特点。其166MHz的数据传输速率使其能够满足大多数高性能应用的需求。该芯片采用了TSOP(薄型小外形封装)技术,使得封装尺寸更小,适合在空间受限的应用中使用。此外,它的工作电压范围较宽(2.3V至3.6V),使其在不同的电源条件下都能稳定运行。芯片内部集成了刷新电路,确保了数据的稳定性与可靠性。工作温度范围宽广(-40°C至+85°C),确保其在各种环境条件下都能正常工作。
  这款DRAM芯片的16位数据总线宽度,使其能够提供较高的数据吞吐能力,适合用于需要大容量内存缓冲的系统中。H5TC2G83DFR-PBA还具备较低的待机电流,有助于降低系统的整体功耗,适用于对功耗敏感的应用场景。

应用

H5TC2G83DFR-PBA常用于需要高性能DRAM的设备,如嵌入式系统、网络路由器、交换机、工业控制设备以及消费类电子产品。它也可以作为缓存或主存储器使用,适用于需要大容量内存支持的系统。

替代型号

H5TC2G83CFR-PBA、H57V2562GTR-6B、IS42S16400J-6T

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