STP21NM60 时间：2025/7/23 6:25:46 阅读：8

STP21NM60是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率电源转换应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器以及电机控制电路。该MOSFET采用先进的技术，具有低导通电阻、高耐压能力以及出色的热稳定性，适合在高功率密度和高工作频率的应用中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　连续漏极电流（ID）：13A（在Tc=100℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：52A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.24Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.5V至5V
　　功率耗散（PD）：83W
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装类型：TO-220、TO-220FP、D2PAK

特性

STP21NM60具有多项优异的电气和热性能特性。首先，其600V的漏源电压使其适用于高电压应用，能够承受较高的瞬态电压应力。其次，该器件的导通电阻RDS(on)最大为0.24Ω，能够在导通状态下保持较低的功率损耗，提高整体系统效率。
　　此外，STP21NM60的连续漏极电流可达13A，适用于中高功率的电源转换器和电机驱动应用。该器件还具备较高的脉冲电流能力，最大脉冲漏极电流为52A，使其能够在短时间内承受较大的负载变化。
　　STP21NM60采用先进的封装技术，如TO-220、TO-220FP和D2PAK等，这些封装形式提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能稳定工作。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。
　　该器件的栅极阈值电压范围为2.5V至5V，适合与多种驱动电路配合使用，包括微控制器、专用驱动IC等。同时，其83W的最大功率耗散能力确保了在较高工作温度下的可靠运行。

应用

STP21NM60广泛应用于多种电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电机驱动器、UPS（不间断电源）以及工业自动化设备。其高耐压、低导通电阻和良好的热性能使其在高效率、高功率密度的电源系统中表现出色。
　　在开关电源领域，STP21NM60常用于PFC（功率因数校正）电路、主开关管以及同步整流电路中。在电机控制方面，该MOSFET可用于H桥驱动电路，实现高效、可靠的电机控制。
　　此外，STP21NM60也适用于太阳能逆变器、LED照明驱动器以及电池充电器等应用，能够满足不同功率等级的需求。