型号：SVF4N60
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：4A
　　脉冲漏极电流（Idm）：16A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　功耗（Pd）：125W
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：2.2Ω（最大值）
　　阈值电压（Vth）：2~4V
　　输入电容（Ciss）：800pF（典型值）
　　输出电容（Coss）：150pF（典型值）
　　反向恢复时间（trr）：30ns（典型值）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220/TO-220F

SVF4N60采用先进的平面VDMOS技术，具有优异的电气性能和热稳定性，能够承受高达600V的漏源电压，适用于多种高压开关应用。该器件的关键优势之一是其低导通电阻，在Vgs=10V条件下，Rds(on)最大仅为2.2Ω，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统整体效率。同时，较低的栅极电荷（Qg）意味着驱动电路所需的能量更少，有利于实现高频开关操作，减少开关过程中的能量损失。器件的输入电容和输出电容均经过优化，使其在高速开关环境下仍能保持良好的动态响应特性。
　　热性能方面，SVF4N60的结温最高可达150°C，并且通过TO-220封装提供了良好的散热路径，便于将热量传导至外部散热器，确保长时间运行的可靠性。该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下维持一定耐受力，提升了在恶劣工况下的安全性。此外，器件的阈值电压范围合理（2~4V），兼容标准逻辑电平驱动信号，方便与PWM控制器或驱动IC直接接口。
　　由于采用了成熟的制造工艺和严格的质量控制流程，SVF4N60在批量生产中表现出高度一致的参数特性和长期稳定性，适用于工业电源、消费类电子产品及LED照明驱动等对可靠性和成本敏感的应用场景。其符合RoHS指令，无铅设计也满足现代环保法规的要求，适合出口型产品使用。

SVF4N60广泛应用于各类中等功率的开关电源系统中，如AC-DC适配器、充电器、PC电源模块以及工业控制电源单元。其高耐压特性使其非常适合用于离线式反激变换器（Flyback Converter）中作为主开关管，能够在整流后的310V直流母线上安全工作，并承受变压器漏感引起的电压尖峰。此外，该器件也常用于DC-DC升压或降压转换电路中，尤其是在需要较高输入电压的太阳能逆变器或UPS不间断电源系统中表现良好。
　　在照明领域，SVF4N60可用于电子镇流器或LED恒流驱动电源中，配合PWM调光控制实现高效节能的照明方案。由于其具备良好的开关特性和热稳定性，能够在长时间点亮条件下保持性能不衰减，延长灯具使用寿命。同时，该器件也可用于小型电机驱动电路，如风扇、泵类设备的控制模块中，提供快速响应和可靠的功率切换功能。
　　在家电产品中，如空调、洗衣机、微波炉等内置的开关电源或控制板中，SVF4N60因其性价比高、供货稳定而被广泛采用。其TO-220封装易于手工焊接和自动化装配，适合大规模生产。总之，凡涉及600V以下高压开关动作、且对效率和可靠性有一定要求的电力电子系统，SVF4N60都是一个值得考虑的优选器件。

KIA4N60, STP4NK60ZFP, FQP4N60C, 2SK2542, IRFBC40